1. Парашютиста можно рассматривать как тело падающее вертикально вниз в результате взаимодействия с Землёй с ускорением, отличным от ускорения свободного падения g.
2. Движение вниз с примерно постоянной скоростью происходит вследствие значительной силы сопротивления купола, который с позиций закона сохранения механической энергии является преобразователем кинетической и потенциальной энергии во внутреннюю энергию окружающего воздуха. Посредством купола в воздушную среду вводится энергия, обеспечивающая её дополнительное движение
1. При относительно низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и их сопротивление достаточно большое. при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности приложенного к полупроводнику электрического поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
2. При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.
2. Движение вниз с примерно постоянной скоростью происходит вследствие значительной силы сопротивления купола, который с позиций закона сохранения механической энергии является преобразователем кинетической и потенциальной энергии во внутреннюю энергию окружающего воздуха. Посредством купола в воздушную среду вводится энергия, обеспечивающая её дополнительное движение
2. При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.