Полупроводниковый диод состоит из двух областей полупроводникоаого материала, одна из которых обладает проводимостью р-типа, другая - n-типа. Разные типы проводимости обусловлены разными примесями, которые подмешивают в полупроводниковый материал (например, кремний). На стыке данных областей образуется p-n переход, односторонняя проводимость которого и используется в диодах.
p-n переход заключается в герметичный корпус, а от двух разных областей отводятся контакты к выводам, соответственно катода (n-область), и анода ( р-область).
Также производятся и бескорпусные диоды для микроэлектроники.
Полупроводниковый диод состоит из двух областей полупроводникоаого материала, одна из которых обладает проводимостью р-типа, другая - n-типа. Разные типы проводимости обусловлены разными примесями, которые подмешивают в полупроводниковый материал (например, кремний). На стыке данных областей образуется p-n переход, односторонняя проводимость которого и используется в диодах.
p-n переход заключается в герметичный корпус, а от двух разных областей отводятся контакты к выводам, соответственно катода (n-область), и анода ( р-область).
Также производятся и бескорпусные диоды для микроэлектроники.
Все своими словами. Без плагиата.