1. Какое из сферических зеркал рассеивает свет, а какое собирает падающий
параллельный пучок в одну точку? Как называется эта точка?
2. Какое изображение называется действительным?
3. У какого сферического зеркала фокус мнимый,ау какого — действительный?
4. Перечислите замечательные лучи, позволяющие строить изображение
в сферическом зеркале.
5. Перечислите известные вам примеры использования плоских, сферических
зеркал,
Площадь усиления каскада равна
П = Кср· fгр.в ,
П = 100 · 14· 103 = 1400· 103.
Рассчитаем данные широкополосного каскада с
низкочастотной корректирующей цепочкой RфСф, работающего на высокоомную нагрузку (Rг >R<Rн) и имеющего R = 1000 Ом, RН=106 Ом, допустимое падение
напряжения на Rф, равное Uф=6 В, и постоянную составляющую тока выходной цепи Iо=3 мА. Относительное усиление каскада Ун на низшей частоте fн = 20 Гц.Определим Rф и необходимый коэффициент низкочастотной коррекции b:
Rф = Uф / Iо ,
Rф = 6 /3 10-3 = 2000 Ом,
b = R / Rф ,
b = 1000 /2000 = 0,5
Если каскад предназначен для усиления гармонических сигналов, то
воспользуемся при его расчете семейством нормированных частотных характеристик для b = 0,5, приведенных на рисунок 1.81,а. Для того чтобы получить наилучшую результирующую характеристику, выберем на этом семействе характеристику с максимальным подъёмом в 1,2—1,5 раза больше заданного; такая характеристика соответствует m=0,9. По этой характеристике определим, что Yн=1,12 имеет место при Х=2,1, откуда найдем необходимые значения С и Сф:
С = Х / 6,28· f· Rн ,
С = 2,1 / 6,28 ·20· 106 = 0,0167·10-6 Ф = 0,0167 мкФ≈0,02 мкФ;
Сф = m·С·Rн / R = m ·Х / 6,28· fн ·R ,
Сф = 0,9· 2,1 / 6,28· 20· 1000 = 0,015 ·10-3 = 15 мкФ
Полупроводник — материал, по удельной проводимости занимающий промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающийся от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводников является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.
На электропроводность полупроводников большое влияние оказывает воздействие внешних факторов: тепловой энергии, деформации, воздействие света и сильных электрических полей. Температурная зависимость удельной проводимости проводника есть результат изменения концентрации и подвижности носителей заряда. В области низких температур полупроводник характеризуется примесной электропроводностью , а в области высоких температур - собственной электропроводностью.
Объяснение:
Написал всё самое важное, на вопросы ответил.
Если мой ответ правильный, поставь мне 5 звёзд, нажми на корону и нажми на Буду благодарен. Удачи!)