1. Укажите, какое из названных ниже явлений,характерных для электромагнитных волн, не является общим свойством волн любой природы:
а) дифракция
б) преломление
в) поляризация
г) интерференция
2. Укажите параметры световой волны изменяются при переходе волны из воздуха в стекло:
а) скорость и длина
б) амплитуда и скорость
в) частота и скорость
г) длина и частота
3. Свет от двух когерентных однофазных точечных монохроматических источников достается точку 1 экрана с разностью хода 3/2 λ , а точку 2 экрана с разностью хода λ. Сравните освещенность в точках 1 и 2:
а) освещенность не одинакова, поскольку больше в точке 2
б) освещенность в точках 1 и 2 одинакова и равна нулю
в) освещенность в точках 1 и 2 одинаковая и отличная от нуля
г) освещенность не одинакова, поскольку больше в точке 1
4. Фотоны какого излучения имеют наименьший импульс?
а) зеленого
б) желтого
в) фиолетового
г) красного
5. Корпускулярные свойства света проявляются при...
а) интерференции света
б) дифракции света
в) разложении света в спектр с призмы
г) фотоэффекте
6. Энергия фотонов которого с излучений является наибольшей?
а) Видимый зеленый свет
б) Рентгеновское
в) Видимый красный свет
г) Инфракрасный свет
7. Если сложить две прозрачные пластины - желтую и зеленую - и посмотреть сквозь них на белую бумагу, то цвет составных пластин будет...
а) синим
б) зеленым
в) желтым
г) черным
8. Свет какого из перечисленных цветов рас в атмосфере с наибольшей скоростью?
а) красного
б) желтого
в) зеленого
г) скорость всех составляющих спектра одинакова
9. Свет какого из перечисленных цветов рас в вакууме с наименьшей скоростью?
а) зеленого
б) желтого
в) красного
г) скорость всех составляющих спектра одинакова
10. Во флакон из зеленого стекла налили красного чернил. Каким будет цвет чернил во флаконе?
а) зеленый
б) фиолетовый
в) красный
г) черный
11. При прохождении света через отверстие, размеры которого сравнимы с длиной световой волны, наблюдается...
а) прямолинейное рас света
б) дисперсия света
в) дифракция света
г) поляризация света
12. Какое максимальное количество электронов при фотоэффекте может выбить с поверхности один квант света?
а) 2
б) 1
в) любое количество
г) 0
13. Фотоэффект - это...
а) взаимодействие фотонов и электронов
б) эмиссия электронов с поверхности металла при его нагревании
в) эмиссия электронов с поверхности металла под действием света
г) потеря металлической пластиной положительного заряда под действием света
14. Укажите неправильный ответ. Максимальная кинетическая энергия выбитых светом электронов...
а) зависит от рода вещества поверхности, на которую падает свет
б) зависит от частоты света
в) обратно пропорциональна длине световой волны
г) прямо пропорциональна интенсивности света
15. Определить энергию кванта света, если длина волны равна 500 нм. (ответ подайте в еВ).
16. Определите период дифракционной решетки, если третье дифракционное изображение щели спектрометра от натриевой лампы с длиной волны 589 нм удаленное от центрального изображения на 16,5 см и наблюдается на экране, расстояние от которого до решетки составляет 1,5 м.
17. Минимальная частота света, который вырывает электроны с поверхности катода равна 5∙10^(14) Гц. Какова длина волны действующего на катод излучения, если задерживающее напряжение равно 2 В? *
18. Пленка толщиной 0,5 мкм облучается светом с длиной волны 590 нм. Какой будет казаться эта пленка ( светлой или темной) в проходящем свете, если показатель преломления вещества пленки 1,48, а лучи света падают перпендикулярно к ее поверхности?
1 Искусственные спутники Земли
2 ИСЗ Искусственный спутник Земли (ИСЗ) беспилотный космический аппарат, вращающийся вокруг Земли по геоцентрической орбите.космический аппаратЗемли геоцентрической орбите
3 …немного из истории… Искусственные спутники Земли широко используются для научных исследований и прикладных задач (военные спутники, исследовательские спутники, метеорологические спутники, навигационные спутники, спутники связи), а также в образовании (в России запущен ИСЗ созданный преподавателями, аспирантами и студентами МГУ, планируется запуск спутника МГТУ им. Баумана) и хобби радиолюбительские спутники.военные спутники исследовательские спутники метеорологические спутникинавигационные спутникиспутники связиМГУ МГТУ им. Баумана радиолюбительские
4 ИСЗ запускаются более чем 40 различными странами (а также отдельными компаниями) с как собственных ракет- носителей, так и предоставляемых в качестве пусковых услуг другими странами и межгосударственными и частными организациями.собственных
6 Первый в мире искусственный спутник Земли запущен в СССР 4 октября 1957 годаСССР4 октября1957 года
10 Первый китайский спутник 24 апреля 1970 года («Dongfanghong-I»)китайский24 апреля 1970 года«Dongfanghong-I»
11 Первый ИСЗ запущенный в Иране
12 Астрономические спутники – предназначены для исследования планет, галактик и других космических объектов. Биоспутники – предназначены для проведения научных экспериментов над живыми организмами, в условиях космоса. Метеорологические спутники – предназначены для передачи данных в целях предсказания погоды, а так же для наблюдения климата Земли.
13 А так же: Космические станции; Навигационные спутники; Разведывательные спутники; Спутники связи; Телекоммуникационные спутники; Экспериментальные спутники.
Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.
Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.
Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.
Примесными центрами могут быть:
атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;
избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;
различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.
Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.
Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).
Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As5+, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.
Энергия отрыва (энергия ионизации) пятого валентного электрона мышьяка в кремнии равна 0,05 эВ = 0,08·10−19 Дж, что в 20 раз меньше энергии отрыва электрона от атома кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка теряют один из своих электронов и становятся положительными ионами. Положительные ионы мышьяка не могут захватить электроны соседних атомов, так как все четыре связи у них уже укомплектованы электронами. В этом случае перемещения электронной вакансии — «дырки» не происходит и дырочная проводимость очень мала, то есть практически отсутствует. Небольшая часть собственных атомов полупроводника ионизирована, и часть тока образуется дырками, то есть донорные примеси — это примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок. В итоге мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа.
В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In3+ атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает». Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.
Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа.
Необходимо отметить, что введение примесей в полупроводники, как и в любых металлах, нарушает строение кристаллической решетки и затрудняет движение электронов. Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. Так, введение примеси бора в количестве 1 атом на сто тысяч атомов кремния уменьшает удельное электрическое сопротивление кремния приблизительно в тысячу раз, а примесь одного атома индия на 108 — 109 атомов германия уменьшает удельное электрическое сопротивление германия в миллионы раз.
Возможность управления удельным сопротивлением благодаря введению примесей используется в полупроводниковых приборах.
Дырочная проводимость не является исключительной особенностью полупроводников. У некоторых металлов и их сплавов существует смешанная электронно-дырочная проводимость за счет перемещений некоторой части неколлективированных валентных электронов. Например, в цинке, бериллии, кадмии, сплавах меди с оловом дырочная составляющая электрического тока преобладает над электронной.
Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости (n- или p-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока — электронов или дырок.
Объяснение: