1. Визначте опір конденсатора ємністю 50 мкФ, на який подана змінна напруга частотою 1 кГц.
2. До резистора з опором 120 Ом послідовно приєднали конденсатор
ємністю 40 мкФ. Визначте опір цієї ділянки, якщо її підключити до мережі
змінного струму стандартної частоти (50 Гц).
3. Знижувальний трансформатор дає напругу 36В . Початкова напруга
дорівнює 220В. Знайти коефіцієнт транчсформації.
4. Визначте опір ділянки кола змінного струму із частотою 1 кГц, що
складається з послідовно з’єднаних конденсатора ємністю 0,1 мкФ і
котушки індуктивністю 0,5 Гн.
Идеальный газ — математическая модель газа, в которой в рамках молекулярно-кинетической теории предполагается, что:
потенциальной энергией взаимодействия частиц, составляющих газ, можно пренебречь по сравнению с их кинетической энергией;суммарный объём частиц газа пренебрежимо мал;между частицами нет дальнодействующих сил притяжения или отталкивания, соударения частиц между собой и со стенками сосуда абсолютно упруги;время взаимодействия между частицами пренебрежимо мало по сравнению со средним временем между столкновениями.Одноатомный газ — это такой газ, в котором атомы не образуют химических связей друг с другом. Атомы одноатомных газов иногда называют одноатомными молекулами.Свойства p-n - перехода. Полупроводниковые приборы являются основой современной электронной техники. Они применяются в радиоприемниках и телевизорах, микрокалькуляторах и электронных вычислительных машинах. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p-n - перехода. Для создания p-n - перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью. Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок