Полупроводники (мы говорим о собственно полупроводниках кремний, арсенид галлия и тд без примесей), имеют во внешней электронной оболочке электроны, которые не так сильно связаны с ядром, как в изоляторах, но и не так слабо, как в металлах. Однако, при нагреве, они легко отрываются от ядер и мы получаем готовые носитель заряда. И чем больше температура, тем их больше, до определенного предела. А сопротивление кроме всего прочего зависит и от количества носителей заряда. Поэтому верен ответ В - Уменьшается из-за увеличения концентрации свободных носителей электрического заряда.
Работа за интервал времени определяется как: А=А(t2)-A(t1) (1) Работа за любое время определяется как: А=F*s (2) Согласно второму закону Ньютона: F=m*a (3) Выпишем основные уравнения кинематики прямолинейного движения: V=V0+a*t (4) S=S0+V0*t+a*t*t/2 (5)
Тогда: сопоставляя исходное уравнение x(t)=2*t*t+4*t+1 c уравнением (5), находим что: S0=1 V0=4 a=4 (6) Найдём пройденный путь за данные промежутки времени: х(10)=1+40+2*100=241 (7) х(2)=1+8+8=17 (8)
Тогда: согласно (3), (6): F=1*4=4 H cогласно (2), (7), (8): А(10)=4*241=964 Дж А(2)=4*17=68 Дж согласно (1) А=964-68=896 Дж
Поэтому верен ответ В - Уменьшается из-за увеличения концентрации свободных носителей электрического заряда.
А=А(t2)-A(t1) (1)
Работа за любое время определяется как:
А=F*s (2)
Согласно второму закону Ньютона:
F=m*a (3)
Выпишем основные уравнения кинематики прямолинейного движения:
V=V0+a*t (4)
S=S0+V0*t+a*t*t/2 (5)
Тогда:
сопоставляя исходное уравнение x(t)=2*t*t+4*t+1 c уравнением (5), находим что:
S0=1
V0=4
a=4 (6)
Найдём пройденный путь за данные промежутки времени:
х(10)=1+40+2*100=241 (7)
х(2)=1+8+8=17 (8)
Тогда:
согласно (3), (6):
F=1*4=4 H
cогласно (2), (7), (8):
А(10)=4*241=964 Дж
А(2)=4*17=68 Дж
согласно (1)
А=964-68=896 Дж