1)В проводнике всегда имеются свободные носители заряда, это его почти неотъемлемое свойство. В полупроводнике эти носители вот-вот появились бы, но "в норме" их нет; они появляются при определённых условиях, при добавлении каких-то примесей (легировании) и т. п.
Таким образом, образованием и исчезновением носителей полупроводника можно управлять технологически.
Например, соединив два куска проводника разного легирования, можно изготовить диод, который проводит ток только в одном направлении; соединив три куска, можно изготовить транзистор, в котором ток в одном куске управляет прохождением тока через два других (электронный вентиль) ; можно изготовить фотоэлемент, который под воздействием света будет менять свою проводимость и так далее.
2)При повышении температуры электролита возрастает средняя кинетическая энергия теплового движения молекул, увеличивается и число пар ионов, образующихся в единицу времени. Из-за увеличения концентрации ионов при повышении температуры значение электрического сопротивления электролита с повышением температуры уменьшается.
3)Чтобы убедиться в том, что в кольцевом сверхпроводнике действительно устанавливается неизменный ток, можно проверить неизменность магнитного поля, созданного сверхпроводником.
4)Дырочная проводимость (р-проводимость) — Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике.
5)Акцепторная примесь - (от лат. acceptor принимающий) примесь в полупроводнике, ионизация которой сопровождается захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный пример акцепторной примеси - атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках.
6)Какую примесь надо ввести в полупроводник, чтобы получить полупроводник n-типа? Полупроводник n-типа означает, что основные носители зарядов отрицательны (n - negativ), значит нужна примесь, которая "даёт" электроны, например, мышьяк As. Тот, кто даёт электроны - донор, как и тот кто кровь даёт.
7)В контакте двух проводников n- и p-типов происходит диффузия основных носителей заряда из одного проводника в другой, получится п-р или р-п переход.
8)При использовании p-n-перехода в реальных полупроводниковых приборах к нему может быть приложено внешнее напряжение. Величина и полярность этого напряжения определяют поведение перехода и проходящий через него электрический ток. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При изменении указанной полярности включение p-n-перехода называют обратным.
При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, рисунок 2. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.
9)Ионная проводимость - это проводимость водных растворов или расплавов электролитов, которая осуществляется ионами. Электролиз - процесс выделения на электроде вещества, связанного с окислительно-восстановительными реакциями.
10)Электролиз находит применение в очистке сточных вод (процессы электрокоагуляции, электроэкстракции, электрофлотации). Применяется для получения многих веществ (металлов, водорода, хлора и др.), при нанесении металлических покрытий (гальваностегия), воспроизведении формы предметов (гальванопластика).
6. ответ в). Луна находится между Землей и Солнцем.
7. ответ а). отражение света от поверхности является зеркальным, если пучок света, который падает на поверхность, отражается от нее в определенном направлении.
8. ответ б). Согласно закону отражения света, - луч падающий, луч отраженный и перпендикуляр в точке падения лежат в одной плоскости.
9. ответ в). Изображение предмета в плоском зеркале находится за зеркалом.
10. ответ б). Наиболее сильно отражает свет белая бумага.
11. ответ а). При переходе света из оптически более плотной среды в оптически менее плотную луч света отклоняется от перпендикуляра в точке падения. Поэтому угол преломления в этом случае будет больше угла падения.
12. ответ в). На границе двух сред свет и отражается, и преломляется.
13. ответ б). Угол преломления - это угол между преломленным лучом и перпендикуляром в точке падения.
14. ответ а). Видимая с берега глубина водоема кажется меньше реальной.
15. ответ б). При падении луча на зеркало под углом 20° угол между падающим и отраженным лучами составляет 40°. При увеличении угла падения на 15° угол отражения также увеличится на 15° и общий угол между двумя лучами увеличится на 30°.
1)В проводнике всегда имеются свободные носители заряда, это его почти неотъемлемое свойство. В полупроводнике эти носители вот-вот появились бы, но "в норме" их нет; они появляются при определённых условиях, при добавлении каких-то примесей (легировании) и т. п.
Таким образом, образованием и исчезновением носителей полупроводника можно управлять технологически.
Например, соединив два куска проводника разного легирования, можно изготовить диод, который проводит ток только в одном направлении; соединив три куска, можно изготовить транзистор, в котором ток в одном куске управляет прохождением тока через два других (электронный вентиль) ; можно изготовить фотоэлемент, который под воздействием света будет менять свою проводимость и так далее.
2)При повышении температуры электролита возрастает средняя кинетическая энергия теплового движения молекул, увеличивается и число пар ионов, образующихся в единицу времени. Из-за увеличения концентрации ионов при повышении температуры значение электрического сопротивления электролита с повышением температуры уменьшается.
3)Чтобы убедиться в том, что в кольцевом сверхпроводнике действительно устанавливается неизменный ток, можно проверить неизменность магнитного поля, созданного сверхпроводником.
4)Дырочная проводимость (р-проводимость) — Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике.
5)Акцепторная примесь - (от лат. acceptor принимающий) примесь в полупроводнике, ионизация которой сопровождается захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный пример акцепторной примеси - атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках.
6)Какую примесь надо ввести в полупроводник, чтобы получить полупроводник n-типа? Полупроводник n-типа означает, что основные носители зарядов отрицательны (n - negativ), значит нужна примесь, которая "даёт" электроны, например, мышьяк As. Тот, кто даёт электроны - донор, как и тот кто кровь даёт.
7)В контакте двух проводников n- и p-типов происходит диффузия основных носителей заряда из одного проводника в другой, получится п-р или р-п переход.
8)При использовании p-n-перехода в реальных полупроводниковых приборах к нему может быть приложено внешнее напряжение. Величина и полярность этого напряжения определяют поведение перехода и проходящий через него электрический ток. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При изменении указанной полярности включение p-n-перехода называют обратным.
При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, рисунок 2. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.
9)Ионная проводимость - это проводимость водных растворов или расплавов электролитов, которая осуществляется ионами. Электролиз - процесс выделения на электроде вещества, связанного с окислительно-восстановительными реакциями.
10)Электролиз находит применение в очистке сточных вод (процессы электрокоагуляции, электроэкстракции, электрофлотации). Применяется для получения многих веществ (металлов, водорода, хлора и др.), при нанесении металлических покрытий (гальваностегия), воспроизведении формы предметов (гальванопластика).
Объяснение:
Бро, пыталась, честно!
6. ответ в). Луна находится между Землей и Солнцем.
7. ответ а). отражение света от поверхности является зеркальным, если пучок света, который падает на поверхность, отражается от нее в определенном направлении.
8. ответ б). Согласно закону отражения света, - луч падающий, луч отраженный и перпендикуляр в точке падения лежат в одной плоскости.
9. ответ в). Изображение предмета в плоском зеркале находится за зеркалом.
10. ответ б). Наиболее сильно отражает свет белая бумага.
11. ответ а). При переходе света из оптически более плотной среды в оптически менее плотную луч света отклоняется от перпендикуляра в точке падения. Поэтому угол преломления в этом случае будет больше угла падения.
12. ответ в). На границе двух сред свет и отражается, и преломляется.
13. ответ б). Угол преломления - это угол между преломленным лучом и перпендикуляром в точке падения.
14. ответ а). Видимая с берега глубина водоема кажется меньше реальной.
15. ответ б). При падении луча на зеркало под углом 20° угол между падающим и отраженным лучами составляет 40°. При увеличении угла падения на 15° угол отражения также увеличится на 15° и общий угол между двумя лучами увеличится на 30°.