Среднее арифметическое скоростей здесь не годится, т.к. участки пути не равны. Следует помнить, что средняя скорость в таких случаях меньше среднего арифметического скоростей.
Средняя скорость равна ВСЕМУ расстоянию, деленному на ВСЁ время в пути. Обозначим весь путь S Тогда 3/4=0,75 S этого пути автомобиль проехал за 0,75. S: 60 ч=0,0125 S часа а одну четвертую =0,25*S за 0,25. S:80 ч= 0,003125*S часa был автомобиль в пути Сложим эти два выражения времени: 0,0125 S +0,003125 S=0,015625 S часa автомобиль был в пути Ещё раз: Средняя скорость равна ВСЕМУ расстоянию, деленному на ВСЁ время в пути. Все расстояние мы приняли за S V (ср)=S:t V (ср)=S: 0,015625 S V ( ср)=64 км/ч
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Следует помнить, что средняя скорость в таких случаях меньше среднего арифметического скоростей.
Средняя скорость равна ВСЕМУ расстоянию, деленному на ВСЁ время в пути.
Обозначим весь путь S
Тогда 3/4=0,75 S этого пути автомобиль проехал за
0,75. S: 60 ч=0,0125 S часа
а одну четвертую =0,25*S за
0,25. S:80 ч= 0,003125*S часa был автомобиль в пути
Сложим эти два выражения времени:
0,0125 S +0,003125 S=0,015625 S часa автомобиль был в пути
Ещё раз:
Средняя скорость равна ВСЕМУ расстоянию, деленному на ВСЁ время в пути.
Все расстояние мы приняли за S
V (ср)=S:t
V (ср)=S: 0,015625 S
V ( ср)=64 км/ч
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и