При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл. поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
2) дырочная ( проводимость " p" - типа )
При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т. к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля. 2. Данный закон следует из закона сохранения заряда. Если цепь содержит p узлов, то она описывается p − 1 уравнениями токов. Этот закон может применяться и для других физических явлений (к примеру, водяные трубы) , где есть закон сохранения величины и поток этой величины.
Найдем фокусное расстояние линзы F=1/D=1/10 дптр=0,1 м Найдем расстояние до изображения с формулы тонкой собирающей линзы 1/F=1/d + 1/f (где d - расстояние до предмета, f - расстояние до изображения) 1/f= 1/F - 1/d = 1/0,1 - 1/0,15 =(0,15 - 0,1)/0,015 (привели к общему знаменателю) f = 0,015/(0,15 - 0,1)= 0,015/0,05=0,3 м увеличение линзы Г=f/d=0,3/0,15=2 также Г= H/h (H - высота изображения, h - высота предмета), откуда H=Г*h=2*0,02 м=0,04 м высота изображения в 2 раза больше предмета , т.е. 4 см=0,04 м
1) электронная ( проводимость "n " - типа)
При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается.
Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл. поля.
Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
2) дырочная ( проводимость " p" - типа )
При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка".
Она может перемещаться по всему кристаллу, т. к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда.
Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.
2. Данный закон следует из закона сохранения заряда. Если цепь содержит p узлов, то она описывается p − 1 уравнениями токов. Этот закон может применяться и для других физических явлений (к примеру, водяные трубы) , где есть закон сохранения величины и поток этой величины.
Найдем расстояние до изображения с формулы тонкой собирающей линзы 1/F=1/d + 1/f (где d - расстояние до предмета, f - расстояние до изображения)
1/f= 1/F - 1/d = 1/0,1 - 1/0,15 =(0,15 - 0,1)/0,015 (привели к общему знаменателю)
f = 0,015/(0,15 - 0,1)= 0,015/0,05=0,3 м
увеличение линзы Г=f/d=0,3/0,15=2
также Г= H/h (H - высота изображения, h - высота предмета), откуда H=Г*h=2*0,02 м=0,04 м
высота изображения в 2 раза больше предмета , т.е. 4 см=0,04 м