Наукові інтереси охоплюють фундаментальні дослідження електро- та фотофізичних властивостей органічних напівпровідників, розробку фізичних принципів запису оптичної інформації на цих матеріалах, створення нових методів голографічної інтерферометрії та апаратури для їх реалізації. Розробив технологію одержання плівок [[Аморфний напівпровідник|аморфних молекулярних напівпровідників]], запропонував високочутливі реєструючі голографічні середовища.
Автор понад 250 наукових праць, зокрема монографії «Фізика аморфних молекулярних напівпровідників» (1994), понад 40 авторських свідоцтв на винаходи.
Підготував 9 кандидатів та 1 доктора наук.
З 1993 р. — офіційний представник України в [[Міжнародний комітет з фотографічної науки|Міжнародному комітеті з фотографічної науки]] (ICSP).
Двічі лауреат [[Державна премія України в галузі науки і техніки|Державної премії України в галузі науки і техніки]] (1970, 1996).
Один із ініціаторів створення АН ВШ України, Головний учений секретар Академії у 1992–1995 рр.
V= 1,6*10⁻²м³
p= 2*10⁻³ м³
m= 1,2*10⁻²кг
M= 0,029 кг/моль
T-?
по уравнению Менделеева Клапейрона
pV=mRT/M
T=pVM/(mR)
T=2*10⁻³*1.6*10⁻²2.9*10⁻²/(1.2*10⁻²*8.3)=9.28*10⁻⁷/9.96*10⁻²=1*10⁻⁵K
2.
S= 100 см²=1*10⁻²м²
h= 50 см =0,5м
m=50 кг
Δh= 10 см=0,1м
p₁= 760 мм. рт ст=100кПа
t₁= 12° C, Т=12+273=285К
t₂-?
из уравнения Клапейрона
p₁V₁/T₁=p₂V₂/T₂
Выразим из уравнения конечную температуру T2:
T₂=T₁p₂V₂/p₁V₁ (1)
Объем, занимаемый газом
V₁=Sh
V₂=S(h—Δh)
Запишем условие равновесия поршня (первый закон Ньютона) при начальном и конечном состоянии газа:
p₁S=p₀S+mпg
p₂S=p₀S+mпg+mg
Здесь mп — масса поршня, p0 — атмосферное давление.
решив систему, получим
p₂S=p₁S+mg
конечное давление p₂ больше начального p₁ на величину давления, которое создаёт груз, то есть:
p₂=p₁+mg/S
В итоге формула (1) примет такой вид:
T₂=T₁(p₁+mg/S)⋅S(h—Δh)/p₁⋅Sh
T2=T₁(1+mg/p₁S)⋅(1—Δh/h)
T2=285⋅(1+50⋅10/100⋅10³*10⁻²)⋅(1—0,1/0,5)=285*1,5/0,8=534,375К
t=534 - 273=261⁰C
ответ: 261° C.
Объяснение:
== Наукова діяльність ==
Наукові інтереси охоплюють фундаментальні дослідження електро- та фотофізичних властивостей органічних напівпровідників, розробку фізичних принципів запису оптичної інформації на цих матеріалах, створення нових методів голографічної інтерферометрії та апаратури для їх реалізації. Розробив технологію одержання плівок [[Аморфний напівпровідник|аморфних молекулярних напівпровідників]], запропонував високочутливі реєструючі голографічні середовища.
Автор понад 250 наукових праць, зокрема монографії «Фізика аморфних молекулярних напівпровідників» (1994), понад 40 авторських свідоцтв на винаходи.
Підготував 9 кандидатів та 1 доктора наук.
З 1993 р. — офіційний представник України в [[Міжнародний комітет з фотографічної науки|Міжнародному комітеті з фотографічної науки]] (ICSP).
Двічі лауреат [[Державна премія України в галузі науки і техніки|Державної премії України в галузі науки і техніки]] (1970, 1996).
Один із ініціаторів створення АН ВШ України, Головний учений секретар Академії у 1992–1995 рр.