Если металлический шар при трении приобрёл заряд равный q=5,6 мКл, то на сколько при этом изменилась масса шара? Масса электрона равна m0=9,11⋅10−31 кг (ответ округли до десятых).
- радиационная обработка продуктов для их длительного хранения
- использование капельного орошения в агрономии позволило вдвое увеличить урожайность овощей, используя при этом только 55% воды.
Применение физики в медицине:
Тонометр, термометр, УЗИ аппарат, аппарат искусственной вентиляции легких, кислородный концентратор.
Применение физики в технике:
В 2016 г. ученые из Глазго построили гравиметр, которые очень точно измерять силу тяжести на Земле. Прибор может быть использован при поиске полезных ископаемых, в строительстве и исследовании вулканов.
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
1. Применение физики в сельском хозяйстве:
- радиационная обработка продуктов для их длительного хранения
- использование капельного орошения в агрономии позволило вдвое увеличить урожайность овощей, используя при этом только 55% воды.
Применение физики в медицине:
Тонометр, термометр, УЗИ аппарат, аппарат искусственной вентиляции легких, кислородный концентратор.
Применение физики в технике:
В 2016 г. ученые из Глазго построили гравиметр, которые очень точно измерять силу тяжести на Земле. Прибор может быть использован при поиске полезных ископаемых, в строительстве и исследовании вулканов.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и