Өлшеуіш цилиндрді мұқият көріп шығыңдар, оның шкаласына зер салыңдар. Қолдарыңдағы өлшеуіш цилиндрдің шкаласындағы жазуға қарап, ол арқылы көлемді қандай бірліктермен анықтауға болатынын дәптерлеріңе жазып алыңдар.
Өлшеуіш цилиндрдің бір бөлік құны 1 см3. Аспап қателігі бөлік құнының жартысына тең, яғни 0,5 см3.
Қолдарыңдағы өлшеуіш цилиндрді пайдаланып, жүргізілген өлшеулердің қателігін анықтаңдар. Ол үшін цилиндрге су құйып, құйылған судың көлемін өлшеу қателігін ескере отырып анықтаңдар.
Анықталған шамаларды дәптерге жазып алыңдар.
Өлшеуіш цилиндрдің сипаттамаларын және өлшеген сұйық көлемін мына кестеге жазыңдар:
Ескерту: Сұйықтық көлемін есептегенде көздің шкаланы көру деңгейіне көңіл аударыңдар. Көзді су бетінің жазықтығымен дәл келетін горизонталь деңгейде бағыттау керек.
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
Өлшеуіш цилиндрді мұқият көріп шығыңдар, оның шкаласына зер салыңдар. Қолдарыңдағы өлшеуіш цилиндрдің шкаласындағы жазуға қарап, ол арқылы көлемді қандай бірліктермен анықтауға болатынын дәптерлеріңе жазып алыңдар.
Оқулықтағы 10-параграфты қайталап, қолдарыңдағы өлшеуіш цилиндрдің бөлік құнын анықтаңдар.
Сұйық көлемін см3 өлшем бірлікпен аламыз.
Өлшеуіш цилиндрдің бір бөлік құны 1 см3. Аспап қателігі бөлік құнының жартысына тең, яғни 0,5 см3.
Қолдарыңдағы өлшеуіш цилиндрді пайдаланып, жүргізілген өлшеулердің қателігін анықтаңдар. Ол үшін цилиндрге су құйып, құйылған судың көлемін өлшеу қателігін ескере отырып анықтаңдар.
Анықталған шамаларды дәптерге жазып алыңдар.
Өлшеуіш цилиндрдің сипаттамаларын және өлшеген сұйық көлемін мына кестеге жазыңдар:
Ескерту: Сұйықтық көлемін есептегенде көздің шкаланы көру деңгейіне көңіл аударыңдар. Көзді су бетінің жазықтығымен дәл келетін горизонталь деңгейде бағыттау керек.
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.