Какие носители заряда присутствуют в полупроводниках p-типа:
А) фотоны;
Б) электроны;
В) дырки.
Какие носители заряда присутствуют в полупроводниках n-типа:
А) дырки;
Б) нейтроны;
В) электроны.
Донорная примесь характеризуется присутствием атома с:
А) большей валентностью;
Б) меньшей валентностью;
В) такой же валентностью.
Акцепторная примесь характеризуется присутствием атома с:
А) меньшей валентностью;
Б) такой же валентностью;
В) большей валентностью.
На стыке двух полупроводников разных типов образуется:
А) непроводящий слой;
Б) запирающий слой;
В) валентный слой.
Полупроводниковый диод:
А) имеет два p-n – перехода;
Б) имеет один p-n – переход;
В) не имеет p-n – переход.
Прямой ток - …
А) ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «+», а n-области к «-» источника тока;
Б) ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «-», а n-области к «+» источника тока.
Почему диод не пропускает ток в обоих направлениях?
А) при обратном включении между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока;
Б) при обратном включении источник тока не работает;
В) диод нельзя включать в обратном направлении.
Пробой диода наступает при:
А) превышении прямого тока;
Б) достижении обратным напряжением некоторого критического значения;
В) отсутствии тока.
Полупроводниковый диод служит для:
А) увеличения напряжения или тока;
Б) преобразования переменного тока в постоянный;
В) управления внешними устройствами.
Полупроводниковый диод имеет ВАХ с:
А) одной ветвью;
Б) семейством ветвей;
В) двумя ветвями.
Полупроводниковый транзистор – это …
А) два встречно включенных диода;
Б) электронный прибор, имеющий два p-n – перехода;
В) полупроводниковый нагревательный элемент.
Транзистор имеет структуру:
А) p-p-n;
Б) p-n-p;
В) n-n-p.
Центральная область транзистора - …
А) коллектор;
Б) эмиттер ;
В) база.
Кроме биполярных транзисторов бывают …
А) луговые транзисторы;
Б) полевые транзисторы;
В) литиевые транзисторы.
Транзистор считается закрытым при:
А) наличии напряжения на базе;
Б) наличии напряжения на эмиттере;
В) отсутствии напряжения на базе.
ВАХ транзистора имеет:
А) две ветви;
Б) семейство ветвей;
В) одну ветвь.
Дано: Решение:
V = 0,0135 м³ Объем детали: V=30*30*15=13500(см³)=0,0135(м³)
ρ(ал) = 2700 кг/м³ Сила тяжести, действующая на деталь:
ρ(м) = 900 кг/м³ F(т) = mg = ρ(ал)Vg = 2700*0,0135*10 = 364,5 (Н)
g = 10 Н/кг Выталкивающая сила, действующая на деталь,
при погружении в масло:
Найти: F - ? F(a) = ρ(м)Vg = 900*0,0135*10 = 121,5 (H)
Сила, необходимая для удержания детали в масле:
F = F(т) - F(a) = 364,5 - 121,5 = 243 (H)
ответ: 243 Н.
Теперь нам надо записать 2 закон Ньютона в векторном виде: →
→ → → → →
Fтяг+Fтр+mg+N=ma, теперь нам надо найти проекции этих сил на координатные оси ОХ: Fтяг-Fтр - mg sinα=ma (сила трения имеет отрицательную проекцию, тк. она направлена "против" оси ОХ, mg отрицательна т.к. идем от начала проекции к концу против направления оси, а если опустить перпендикуляр из конца вектора на ОХ то получим, что угол 30 будет лежать напротив проекции, т.е сам вектор при этом будет равен mg sinα)
Теперь аналогично находим проекции всех векторов на ОУ: 0+0-mg cosα+N=0 отсюда находим, что N=mg cosα, вспоминаем, что Fтр=μN=μ mg cosα, осталось все собрать в кучу, получаем: Fтяг- μ mg cosα - mg sinα=ma отсюда a=(Fтяг -μ mg cosα -mg sinα)/m=(7000-0,1*1000*10*√3/2 - 1000*10*1/2)/1000=(6150-5000)/1000=1150/1000=1,15 м/с.кв.