Концентрація електронів провідності в напівпровіднику дорівнює
10 18 м -3 . Обчисліть концентрацію дірок в цьому напівпровіднику, якщо відомо, що
власна концентрація заряду при даній температурі становить 10 16 м -3 .

Обозначим силы 

У нас 4 ситуации (с точностью до знака, но нам же важны модули)
1) все три в одном направлении (максимальное значение 4)
2) 1 и 2 в одном, третья обратно
3) 1 и 3 в одном, вторая обратно
4) 2 и 3 в одном, первая обратно

Значит


Минус 1 написано, потому что две маленькие силы перетягивают одну большую, и равнодействующая направлена в другую сторону

Вычтем из первой строчки вторую
2*F3 = 5; F3 = 2.5
Вычтем из первой строчки третью
2*F2 = 2; F2 = 1
Вычтем из первой строчки четвертую
2*F1 = 1; F1 = 0.5

Нам не сильно важно какая из сил какая, значения сил мы нашли и это ответ:

Силы 2.5Н 1Н и 0.5Н

1)  в) 1360000 ДЖ. Здесь мы пользуемся формулой Q=Лямда *m Q=4*3,3*10(степени) При процесе крисстализации или отвердивании выделяется точно такое же количества теплоты как и при плавлении.
2) а) Только при больших температурах. Так как при больших температурах кинетическая энергия молекулы достигает такой скорости что приодолеть силу поверхностного натяжения других молекул.
3) а) У основания горы. Так как у основания горы атмосферное давление будет больше не жели на самой вершине
4) Здесь воспользуемся формулой Q=Lm Q= 2300*10(3степени) *3.5 =8050000 Дж