Во время торможения на автомобиль действует сила трения F=kmg. Исходя из второго закона Ньютона F=ma ⇒ kmg=ma ⇒ a=kg. Путь, пройденный при равноускоренном движении определяется формулой S=v₀t-at²/2=v₀t-kgt²/2, знак "-" связан с направлением силы трения против движения. Время t можно найти, зная что при остановке скорость равна v=0 и она определяется как v=v₀-at ⇒ t=v₀/a=v₀/kg. Подставим в выражение для пройденного пути
внутреннее (выходное) сопротивление ri − представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока: рис 1
основные параметры мдп-транзистора при Uзи = const;
крутизна стоко-затворной характеристики: рис2
при Uси = const,
отображает влияние напряжение затвора на выходной ток транзистора;
входное сопротивление
при Uси = const транзистора определяется сопротивлением р-n- переходов, смещенных в обратном направлении. Входное сопротивление полевых транзисторов с р-n- переходом довольно велико (достигает единиц и десятков мегаом), что выгодно отличает их от биполярных транзисторов.
Во время торможения на автомобиль действует сила трения F=kmg. Исходя из второго закона Ньютона F=ma ⇒ kmg=ma ⇒ a=kg. Путь, пройденный при равноускоренном движении определяется формулой S=v₀t-at²/2=v₀t-kgt²/2, знак "-" связан с направлением силы трения против движения. Время t можно найти, зная что при остановке скорость равна v=0 и она определяется как v=v₀-at ⇒ t=v₀/a=v₀/kg. Подставим в выражение для пройденного пути
S=v₀²/kg-kg[v₀²/(k²g²)]/2=v₀²/(kg); v₀=72 км/час=20 м/с
S=400/(0.8*9,81)=50,96 м
максимальный ток стока Iс max (при Uзи = 0);
максимальное напряжение сток-исток Uси max;
напряжение отсечки Uзи отс;
внутреннее (выходное) сопротивление ri − представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока: рис 1
основные параметры мдп-транзистора при Uзи = const;
крутизна стоко-затворной характеристики: рис2
при Uси = const,
отображает влияние напряжение затвора на выходной ток транзистора;
входное сопротивление
при Uси = const транзистора определяется сопротивлением р-n- переходов, смещенных в обратном направлении. Входное сопротивление полевых транзисторов с р-n- переходом довольно велико (достигает единиц и десятков мегаом), что выгодно отличает их от биполярных транзисторов.