На кто-нибудь Концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике при температуре 222 К равна 3,91·1018 1/м3. При какой температуре концентрация носителей заряда станет равной 8,46·1020 1/м3? Ширина запрещённой зоны данного полупроводника равна 1,27 эВ. Примечание. Зависимость начальной концентрации от температуры не учитывать.

Объяснение:

используя закон био савара лапласа (см рисунок 1 во вложении) была получена формула для магнитного поля конечного проводника с током

(см рисунок 2 во вложении)

B=μμ₀I*(cos(φ₁)-cos(φ₂))/(4 π r₀)

применим ее к трем участкам

B₁=μμ₀I*(cos(45)-cos(180))/(4 π r₀)=μμ₀I*(√2/2+1)/(4 π r₀)

B₂=μμ₀I*(cos(45)-cos(135))/(4 π r₀)=μμ₀I*(√2/2+√2/2)/(4 π r₀)

B₃=μμ₀I*(cos(0)-cos(135))/(4 π r₀)=μμ₀I*(1+√2/2)/(4 π r₀)

B=B₁+B₂+B₃=μμ₀I*(√2/2+1+√2/2+√2/2+1+√2/2)/(4 π r₀)=μμ₀I*(1+√2)/(2 π r₀)

B=1*4 π*1e-7*10*(1+√2)/(2 π 0,1) А/м = 2*e-5*(1+√2) А/м = 4,82843E-05 А/м ~ 48 мкА/м

1.энергия фотона Е= h*v, где h-постоянная Планка и v-частота;

E=6,6*10^-34*5*10^14=33*10^-20 Дж; уравнение Эйнштейна E=mc^2, импульс же можно найти как mc, тогда p=E/c=33*10^-20/(3*10^8)=11*10^-28кг*м/с (с-скорость света, константа, а ответ мы вырзили в килограммах, умноженных на метр, делённый на секунду); теперь по аналогии с импульсом найдём и массу: m=E/c^2=3,7*10^-36 кг

2. здесь будем использовать ур-е Эйнштейна для фотоэффекта(вырывания электронов):

hv=Aвыхода+mv^2/2; константы я вам назвал, они остаются такими же, посчитайте , сами, в условии всё известно