Ну тут задача не на ну ладно. Итак, нам известно, что плита гранитная, в интернетах находим плотность гранита, она равна 2600 кг/м^3. Нам известен объём плиты. Чтобы найти массу, нам нужно из формулы p(ро)=m/V выразить m=p(ро)V. Т.о. масса равна 2500*6= 15000 кг. Далее решение отталкивается от Второго закона Ньютона. Находим силу, с которой плита давит на грунт. На плиту не действуют другие внешние силы, кроме как сила притяжения Fпр= mg. Находим эту силу Fпр= 15000*10=150000 Н. По формуле давления p=F/S находим давление плиты на грунт. p=150000/1,5=100000 Па, или 100 кПа. ответ: 100 кПа. Вот так)
1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур …
1. ~ Т –1 2. не зависит и равна 3R 3. ~ Т 3 4. ~
2. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области низких температур …
1. ~ Т 3
2. ~ Т –1
3. не зависит и равна 3R
4. не зависит и равна 3/2 R
3. Энергия Ферми – это …
1. максимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К
2. энергия, соответствующая дну зоны проводимости
3. минимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К
4. энергия, соответствующая дну валентной зоны
4. Физический смысл энергии Ферми заключается в одном из следующих утверждений …
1. минимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К
2. максимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К
3. энергия, определяющая дно зоны проводимости
4. энергия, определяющая потолок валентной зоны
5. На рисунке приведено зонное строение кристалла при 0К, который является …
1. полупроводником
2. диэлектриком
3. проводником
4. однозначного ответа нет
6. Твердые тела являются проводниками, если…
1. валентная зона заполнена электронами полностью
2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни
3. зона проводимости заполнена полностью
4. в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни
7. Если валентная зона заполнена электронами, но при этом перекрывается с зоной проводимости, то твердое тело является …
1. диэлектриком
2. проводником
3. полупроводником
4. проводником и полупроводником одновременно
8. Полупроводниками называются кристаллы, у которых при 0ºК …
1. перекрыты валентная зона и зона проводимости
2. заполнена зона проводимости
3. нет запрещенной зоны
4. заполнена валентная зона
9. Основными носителями тока в химически чистых полупроводниках являются …
1. только электроны
2. только дырки
3. электроны и ионы акцепторных атомов
4. дырки и электроны
10. Из приведенных ниже положений правильными для собственных полупроводников являются …
1. дырки возникают при захвате электронов атомами акцепторной примесей
2. уровень Ферми расположен посередине запрещенной зоны
3. валентная зона заполнена электронами не полностью
4. сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры
1. 1,2 2. 2,3 3. 3,4 4. 2,4
11. Донорные примесные уровни располагаются …
1. в середине запрещенной зоны
2. у потолка валентной зоны
3. у дна зоны проводимости
4. между уровнем Ферми и потолком валентной зоны
12. С точки зрения зонной теории отрицательные носители тока в полупроводниках n-типа образуются в результате перехода электронов …
1. из валентной зоны в зону проводимости
2. с донорного уровня в зону проводимости
3. между уровнями валентной зоны
4. из валентной зоны на донорный уровень
13. Двойной электрический слой на границе р-n–перехода образуют …
1. дырки и электроны
2. отрицательные ионы акцепторного атома и положительные ионы донорного атома
3. отрицательные ионы донорного атома и положительные ионы и акцепторного атома
4. дырки и отрицательные ионы донорного атома
14. Положительный электрический слой на границе p-n- перехода образуется …
1. позитронами
2. положительными ионами акцепторной примеси
3. протонами
4. положительными ионами донорной примеси
15. Отрицательный электрический слой на границе p-n–перехода образуется …
1. электронами
2. дырками
3. отрицательными ионами донорных атомов
4. отрицательными ионами акцепторных атомов
16. Односторонняя проводимость р-n–перехода объясняется …
1. диффузией носителей тока
2. зависимостью сопротивления р-n–перехода от направления внешнего электрического поля
3. превышением концентрации основных носителей тока над неосновными
4. рекомбинацией носителей тока
17. Слабый ток через полупроводниковый диод при запирающем напряжении обусловлен …
1. увеличением толщины контактного слоя, обеднённого основными носителями тока
2. препятствием внешнего электрического поля движению основных носителей тока через p-n–переход
3. уменьшение сопротивления p-n перехода
4. ускорением внешним электрическим полем движения неосновных носителей тока через p-n–переход
18. Твердые тела не проводят электрический ток при 0 К, если…
1. в запрещенной зоне нет примесных уровней
2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни
3. зона проводимости заполнена электронами целиком
4. валентная зона заполнена электронами целиком