Найдите амплитуду колебаний UmR на сопротивлении в последовательном колебательном контуре, если амплитуда колебаний напряжения на источнике em = 10 В, а разность фаз колебаний напряжения на источнике и на конденсаторе Dj = 1,04 рад.

Ускорение задано в векторной форме, здесь ī,ĵ орты осей х и у соответственно, что означает ā=ī*ax+ĵ*ay, то есть ах=А..., ау=В - суть выражения проекций на оси х,у (все это функции времени, конечно).

Но с другой стороны, по определению ускорение (и векторно, и в проекциях) ах=dVx/dt, или чисто формально dVx=ах*dt. Берем интеграл от левой и правой, имеем: (dVx)==Vx=S(ax*dt), это по определению интеграла.

Вот и находим наши табличные интегралы при нулевых н.у.: Vx=At³/3T², Vy=Bt^5/5T⁴ [T -это тау]. А теперь искомый тангенс на плоскости х0у: tgф=Vy/Vx=3Bt²/5AT²= 0.9 -ответ

Сложно зависит. При совсем низких температурах там просто нет свободных носителей, поэтому сопротивление очень высокое. По мере роста температуры для примесных полупроводников повышается концентрация носителей (примеси начинают ионизироваться), и сопротивление падает. Потом, когда вся примесь ионизирована, сопротивление достигает минимума и дальше начинает постепенно расти из-за рассеяния носителей на фононах. Но если ещё дальше повышать температуру, то начинается генерация уже собственных носителей, и сопротивление опять начинает резко снижаться.