2) Обратный ток p-n перехода прямо пропорционален ширине запретной зоны и зависит от температуры как
5)
Вероятно, это какой то специфичный вопрос. Обычно правила ТБ описаны рядом с установкой или в методичке к работе. В общем случае могу предложить Вам прочитать их здесь.
Объяснение:
2) Обратный ток p-n перехода прямо пропорционален ширине запретной зоны и зависит от температуры как
5)
Вероятно, это какой то специфичный вопрос. Обычно правила ТБ описаны рядом с установкой или в методичке к работе. В общем случае могу предложить Вам прочитать их здесь.
https://ohranatrud-ua.ru/instruktsii-po-okhrane-truda/61-instruktsiya-po-okhrane-truda-pri-rabote-na-stende.html
6) К основным параметрам полупроводниковых диодов относятся:
предельно допустимый прямой (выпрямительный) ток, прямое падение напряжения, пороговое прямое напряжение, обратный ток, обратное напряжение, напряжение пробоя диода, ёмкость p-n-перехода.v=x`=A*w*cos(wt)=v0*cos(wt)
kx^2/2+mv^2/2=const=k*A^2/2=m*v0^2/2=m*A^2*w^2/2
mv^2=k*(A^2-x^2)
v=корень(k*(A^2-x^2)/m)=корень(w^2*(A^2-x^2))=
=w*корень(A^2-x^2)=2*pi*n*корень(A^2-x^2)=
=2*pi*0,5*корень(0,03^2-0,015^2)=0,081620971м/с ~0,08м/с
2)
J*alpha``=-mg*r/2*sin(alpha)~-mg*r/2*(alpha)
J=1/2*mr^2+m*(r/2)^2=3mr^2/4
alpha``~- mg*r/2*(alpha) : 3mr^2/4 = - 2g/(3r)*(alpha)=-(2*pi/T)^2*(alpha)
2g/(3r)*(alpha)=(2*pi/T)^2
T=2*pi*корень(3r/2g)
V=h*pi*r^2=m/ro
r=корень(m/(h*pi*ro))
T=2*pi*корень(3r/2g)=2*pi*корень(3*корень(m/(h*pi*ro))/2g)=
=2*pi*корень(3*корень(1/(0,01*pi*8920))/(2*10)) сек = 0,594767 сек ~ 0,6 сек