1. U=I*R=60*1.5= 90В
2. Сопротивление проводника
3. Rобщ= R1+((R2+R3)*(R4+R5))/((R2+R3)+(R4+R5)=5+((2+4)*(6+10))/((2+4)+(6+10))=9 Ом
4. ЭДС источника тока
5. Носителями заряда в жидкостях являются положительные и отрицательные ионы
6. С ростом температуры сопротивление полупроводника с акцепторными примесями уменьшается
1. U=I*R=60*1.5= 90В
2. Сопротивление проводника
3. Rобщ= R1+((R2+R3)*(R4+R5))/((R2+R3)+(R4+R5)=5+((2+4)*(6+10))/((2+4)+(6+10))=9 Ом
4. ЭДС источника тока
5. Носителями заряда в жидкостях являются положительные и отрицательные ионы
6. С ростом температуры сопротивление полупроводника с акцепторными примесями уменьшается