2. Оптимального сцепления с основой можно достигнуть, если удается дополнить кристаллическую структуру основного металла непосредственно структурой гальванического покрытия таким образом, чтобы образовалась внутренняя связь в общей кристаллической структуре. Для выполнения этого условия операции подготовки к покрытию являются основой, определяющей качество защиты деталей.
1.А
Б
В-3
Г-4
2. Оптимального сцепления с основой можно достигнуть, если удается дополнить кристаллическую структуру основного металла непосредственно структурой гальванического покрытия таким образом, чтобы образовалась внутренняя связь в общей кристаллической структуре. Для выполнения этого условия операции подготовки к покрытию являются основой, определяющей качество защиты деталей.
3. Q=I^2 Rt=1.2^2*200*40=11520 Дж
4. t= Q/I/U=52800/0,8/220=300 c=5 мин
5. I=U/R=220/1.4=157 A
P=I^2*R; I=m/kt P=m^2*R/k^2*t^2 = 15^2 * 1,4 /0,0932^2/1800^2 =0.01 Вт
Объяснение:
h*ν=A + T , где А - работа выхода электрона из металл, T - кинетическая энергия
фотоэлектронов, h - Постоянная Планка h=6,63*10^-34 Дж*c, ν - частота излучения.
Частота излучения находится из выражения:
ν=с/λ , где с - скорость света, λ - длина волны.
h*ν - энергия фотонов.
Подставим все это в уравнение Эйнштейна:
h*с/λ = A + T
Первоначально:
10 = А + Т
После изменения:
h*с/(λ/2)=2*h*с/λ
2*10 = А+3*T
Выразим Т из первоначального и подставим в после изменения:
Т = 10 - А
2*10 = А+3*T = А+3*(10 - А)=А + 30 - 3*А = 30 - 2А
А=30-20/2= 5 эВ.
ответ: работа выхода электронов равна 5 эВ.