в проводниках перенос тока осуществляется свободными электронами,которые слабее всего связаны с внешними оболочками атомов. Электроны текут от минуса к плюсу(против официально принятого направления тока от плюса к минусу) поскольку электроны текут от минуса к плюсу,то суммарно остающийся на атомах положительный заряд как бы движется от плюса к минусу. в расстворах заряд переносится ионами:положительные притягиваются к минусу,а отрицательные к плюсу,при этом происходит перенос материала и отложение на электроде.
в полупроводниках есть либо вкрапления с избыточными электронами,либо с меньшим колличеством. Если избыток электронов,то они перемещаются к границе с одной стороны,а на другой стороне образуется недостаток электров за счет удаления под действием поля электронов от границы (пограничного перехода)
если в примеси не хватало электронов,
то избыток дырок(мест где не хватает электрона) значит мнимо в дырке положительный заряд и под воздействием поля электрон зпрыгает из дырки в дырку и визуально двигается дырка.
g=go*(R/(R+h))^2
h=R*(корень( go/g) - 1) =6400 км *(корень( 9,81/1) - 1) = 13645,39 км ~ 13600 км
2)
m*g=m*go*(R/(R+h))^2=m*go*0,9
(R/(R+h))^2=0,9
h=R*(корень( 1/0,9) - 1) =6400 км *(корень( 1/0,9) - 1) =346,1923км ~ 350 км
3)
земля вращается вокруг солнца, период T = 1 год
m*a=mw^2*R=mMG/R^2
w=2*pi/T
mw^2*R=mMG/R^2
w^2=MG/R^3
M=w^2*R^3/G=(2*pi/T)^2*R^3/G=
=(2*pi/(365,25*24*60*60))^2*(1,5*10^8*10^3)^3/(6,67*10^-11) кг = 2,01E+30 кг
4)
g=M*G/R^2
M=g*R^2/G=9,81*(6400000)^2/(6,67*10^-11) кг = 6,02E+24 кг
ro = M/V=g*R^2/G * 3/(4*pi*R^3) =3*g/(4*pi*G*R) =
=3*9,81/(4*pi*6,67*10^-11*6400000)кг/м3 = 5486,237 кг/м3 ~ 5,5*10^3кг/м3
в проводниках перенос тока осуществляется свободными электронами,которые слабее всего связаны с внешними оболочками атомов. Электроны текут от минуса к плюсу(против официально принятого направления тока от плюса к минусу) поскольку электроны текут от минуса к плюсу,то суммарно остающийся на атомах положительный заряд как бы движется от плюса к минусу. в расстворах заряд переносится ионами:положительные притягиваются к минусу,а отрицательные к плюсу,при этом происходит перенос материала и отложение на электроде.
в полупроводниках есть либо вкрапления с избыточными электронами,либо с меньшим колличеством. Если избыток электронов,то они перемещаются к границе с одной стороны,а на другой стороне образуется недостаток электров за счет удаления под действием поля электронов от границы (пограничного перехода)
если в примеси не хватало электронов,
то избыток дырок(мест где не хватает электрона) значит мнимо в дырке положительный заряд и под воздействием поля электрон зпрыгает из дырки в дырку и визуально двигается дырка.