ответы на тест . вопросы теста по теме « и приборы» 1. какие носители заряда присутствуют в p-типа: а) фотоны; б) электроны; в) дырки. 2. какие носители заряда присутствуют в n-типа: а) дырки; б) нейтроны; в) электроны. 3. донорная примесь характеризуется присутствием атома с: а) большей
валентностью; б) меньшей валентностью; в) такой же валентностью. 4. акцепторная примесь характеризуется присутствием атома с: а) меньшей валентностью; б) такой же валентностью; в) большей валентностью. 5. на стыке двух разных типов образуется: а) непроводящий слой; б) запирающий слой; в)
валентный слой. 6. диод: а) имеет два p-n – перехода; б) имеет один p-n – переход; в) не имеет p-n – переход. 7. прямой ток - … а) ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «+», а n-области к «-» источника тока; б) ток протекающий через диод, при подключении его p-области к
«-», а n-области к «+» источника тока. 8. почему диод не пропускает ток в обоих направлениях? а) при обратном включении между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока; б) при обратном включении источник тока не работает; в) диод нельзя включать в
обратном направлении. 9. пробой диода наступает при: а) превышении прямого тока; б) достижении обратным напряжением некоторого критического значения; в) отсутствии тока. 10. диод служит для: а) увеличения напряжения или тока; б) преобразования переменного тока в постоянный; в) внешними
устройствами. 11. – это … а) два встречно включенных диода; б) электронный прибор, имеющий два p-n – перехода; в) нагревательный элемент. 12. имеет структуру: а) p-p-n; б) p-n-p; в) n-n-p. 13.центральная область - … а) коллектор; б) эмиттер; в) база.
2. В n-типе присутствуют электроны. Обоснование: n-тип полупроводника формируется, когда примесь с атомами, имеющими большую валентность, вводится в полупроводник. В результате этого добавления, в полупроводнике появляются лишние электроны.
3. Донорная примесь характеризуется атомом с меньшей валентностью. Обоснование: В донорной примеси, вводимой в p-тип полупроводника, атомы имеют более высокую валентность, чем основной материал. Добавленные атомы "дополняют" основной полупроводник, создавая в нём свободные дырки, которые значительно повышают электропроводность материала.
4. Акцепторная примесь характеризуется атомом с большей валентностью. Обоснование: В акцепторной примеси, вводимой в n-тип полупроводника, атомы имеют большую валентность, чем основной материал. Добавленные атомы "призывают" дополнительные электроны, которые значительно повышают электропроводность материала.
5. На стыке двух разных типов образуется запирающий слой. Обоснование: При стыком p-типа и n-типа полупроводников, электроны из n-типа мигрируют в область p-типа, заполняя свободные дырки в этой области. Это создает позитивный заряд вблизи стыка, и отрицательный заряд в электронной области. Оба эти электрические заряда создают запирающий слой.
6. Диод имеет один p-n – переход. Обоснование: Диод состоит из одной разделительной структуры, состоящей из p-типа и n-типа полупроводниковых материалов. Эта разделительная структура заставляет протекать ток в одном направлении и блокирует ток в обратном направлении.
7. Прямой ток - это ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «+», а n-области к «-» источника тока. Обоснование: При этом подключении, ток электронов из n-области и дырок из p-области сливаются в стыке и протекают через направленную структуру диода.
8. Диод не пропускает ток в обоих направлениях, потому что при обратном включении между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока. Обоснование: Если обратное напряжение достаточно велико, эта область становится разреженной и ток не может протекать через диод.
9. Пробой диода наступает при достижении обратным напряжением некоторого критического значения. Обоснование: При достижении определенного обратного напряжения, электрическое поле внутри диода становится настолько сильным, что разрывает диэлектрическую преграду между p- и n-областями, и ток начинает протекать через диод.
10. Диод служит для преобразования переменного тока в постоянный. Обоснование: Диоды позволяют току протекать только в одном направлении, блокируя его в другом направлении. Это позволяет использовать диоды для преобразования переменного тока (который меняет свое направление) в постоянный ток (который протекает только в одном направлении).
11. "Диодный мост" - это электронный прибор, имеющий два p-n – перехода. Обоснование: Диодный мост состоит из четырех диодов, каждый из которых имеет один p-n – переход. Это создает возможность использовать диодный мост для выпрямления переменного тока.
12. Диод имеет структуру p-n-p. Обоснование: Диод устроен так, что его п-область, разделенная n-областью, опять обрамлена p-областью.
13. Центральная область - база. Обоснование: Во внутренней структуре транзистора, питаемого через разделитель, эмиттер, база и коллектор являются тремя различными областями. Центральная область называется базой.