Памагити!
1. Какие носители заряда присутствуют в полупроводниках p-типа:
А) фотоны; Б) электроны; В) дырки.
2. Какие носители заряда присутствуют в полупроводниках n-типа:
А) дырки; Б) нейтроны; В) электроны.
3. Донорная примесь характеризуется присутствием атома с:
А) большей валентностью; Б) меньшей валентностью; В) такой же валентностью.
4. Акцепторная примесь характеризуется присутствием атома с:
А) меньшей валентностью; Б) такой же валентностью; В) большей валентностью.
5. На стыке двух полупроводников разных типов образуется: А) непроводящий слой; Б) запирающий слой; В) валентный слой.
6. Полупроводниковый диод: А) имеет два p-n – перехода; Б) имеет один p-n – переход; В) не имеет p-n – переход.
7. Прямой ток - … А) ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «+», а n-области к «-» источника тока; Б) ток протекающий через диод, при подключении его p-области к «-», а n-области к «+» источника тока.
8. Почему диод не пропускает ток в обоих направлениях?
А) при обратном включении между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока; Б) при обратном включении источник тока не работает; В) диод нельзя включать в обратном направлении.
9. Пробой диода наступает при:
А) превышении прямого тока; Б) достижении обратным напряжением некоторого критического значения; В) отсутствии тока.
10. Полупроводниковый диод служит для:
А) увеличения напряжения или тока; Б) преобразования переменного тока в постоянный; В) управления внешними устройствами.
11. Полупроводниковый диод имеет ВАХ с:
А) одной ветвью; Б) семейством ветвей; В) двумя ветвями.
12. Полупроводниковый транзистор – это …
А) два встречно включенных диода; Б) электронный прибор, имеющий два p-n – перехода; В) полупроводниковый нагревательный элемент.
13. Транзистор имеет структуру:
А) p-p-n; Б) p-n-p; В) n-n-p.
14. Центральная область транзистора - …
А) коллектор; Б) эмиттер ; В) база.
15. Кроме биполярных транзисторов бывают …
А) луговые транзисторы; Б) полевые транзисторы; В) литиевые транзисторы.
16. Транзистор считается закрытым при:
А) наличии напряжения на базе; Б) наличии напряжения на эмиттере; В) отсутствии напряжения на базе.
17. ВАХ транзистора имеет:
А) две ветви; Б) семейство ветвей; В) одну ветвь.
в 2,56 раза
Объяснение:
Дано:
α = 60°
β = 30°
μ = 0,04
______
Ek₀/Ek - ?
Сделаем чертеж
1)
Находим проекции скоростей на оси.
Ось ОХ:
V₀x = -Vo*cos 60⁰ = - 0,5*V₀
V₀y = -V*cos 30⁰ ≈ - 0,73*V
Изменение скорости:
ΔVx = -0,73*V - (-0,5*V₀) = 0,5*V₀-0,73*V
Ось ОY:
V₀y = -Vo*sin 60⁰ = - 0,73*V₀
V₀y = V*sin 30⁰ ≈ 0,5*V
Изменение скорости:
ΔVy = 0,5*V-(-0,73*V₀) = 0,73*V₀+0,5*V
2)
Запишем закон сохранения импульса:
F*Δt = m*ΔV
Здесь Δt - время удара.
Проецируем на оси:
Учтем, что сила трения
Fтр = μ*N.
μ*N*Δt = m*ΔVx
N*Δt = m*ΔVy
Разделим уравнения одно на другое:
μ = ΔVx/Vy
0,04 = (0,5*V₀-0,73*V) / (0,73*V₀+0,5*V)
Выполнив преобразования, получим:
V₀ ≈ 1,6 V
Поскольку кинетическая энергия прямо пропорциональна квадрату скорости, то
Ek₀/Ek ≈ 1,6² = 2,56 раз
Давай сначала определим энергию, запасённую маятником. Понятно, что в процессе полёта, энергия лишь будет переходить из потенциальной в кинетическую.
Еп = Ек = m * g * H = m * g * L * cos(60) = 0,2 * 10 * 2 * 0,5 = 2 Дж.
В нижней точке полёта вся эта энергия перешла в кинетическую, значит шарик приобрёл квадрат скорости
v^2 = 2 * E / m = 2 * 2 / 0,2 = 20 м2/с2.
Чисто для интереса возьмём корень, и узнаем что скорость v = корень(20) = 4,47 м/с, хотя, в принципе, нас это не спрашивают.
Ну что, выходим к нити. Натяжение нити состоит из двух компонент:
веса шарика, и центробежной силы
Т = mg + Fц
центробежная сила будет равна
Fц = m * v^2 / L
Соберём всё в единую формулу натяжения, и получим:
Т = 0,2 * 10 + 0,2 * 20 / 2 = 2 + 2 = 4 Н
Вот и ответ: Т = 4 Н.
Удачи, и привет учительнице!