міжнародна система одиниць (сі) (міжнародна абревіатура si з фр. système international d'unités) — сучасна форма метричної системи, збудована на базі семи основних одиниць[1]. сі є найуживанішою системою одиниць при проведенні вимірювань та розрахунків в різних галузях науки, техніки, торгівлі тощо.
у 1960 11-ю генеральною конференцією з мір та ваг міжнародна система одиниць сі була рекомендована як практична система одиниць для вимірювань фізичних величин. головна мета впровадження такої системи — об'єднання великої кількості систем одиниць (сгс, мкгсс, мкс тощо) з різних галузей науки й техніки та усунення труднощів, пов'язаних з використанням значної кількості коефіцієнтів при перерахунках між ними і створенням великої кількості еталонів для забезпечення необхідної точності. переваги сі забезпечують підвищення продуктивності праці проектантів, виробників, науковців; спрощують та полегшують навчальний процес, а також практику міжнародних контактів між державами.
міжнародна система одиниць сі складається з набору одиниць вимірювання та набору кратних і часткових префіксів до них. система також визначає стандартні і позначення для одиниць та правила запису похідних одиниць.
система сі не є незмінною, вона є набором стандартів, в якому створюються одиниці виміру та коригуються їхні визначення згідно з міжнародними залежно від рівня сучасного розвитку вимірювальних технологій.
Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.
Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.
Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.
міжнародна система одиниць (сі) (міжнародна абревіатура si з фр. système international d'unités) — сучасна форма метричної системи, збудована на базі семи основних одиниць[1]. сі є найуживанішою системою одиниць при проведенні вимірювань та розрахунків в різних галузях науки, техніки, торгівлі тощо.
у 1960 11-ю генеральною конференцією з мір та ваг міжнародна система одиниць сі була рекомендована як практична система одиниць для вимірювань фізичних величин. головна мета впровадження такої системи — об'єднання великої кількості систем одиниць (сгс, мкгсс, мкс тощо) з різних галузей науки й техніки та усунення труднощів, пов'язаних з використанням значної кількості коефіцієнтів при перерахунках між ними і створенням великої кількості еталонів для забезпечення необхідної точності. переваги сі забезпечують підвищення продуктивності праці проектантів, виробників, науковців; спрощують та полегшують навчальний процес, а також практику міжнародних контактів між державами.
міжнародна система одиниць сі складається з набору одиниць вимірювання та набору кратних і часткових префіксів до них. система також визначає стандартні і позначення для одиниць та правила запису похідних одиниць.
система сі не є незмінною, вона є набором стандартів, в якому створюються одиниці виміру та коригуються їхні визначення згідно з міжнародними залежно від рівня сучасного розвитку вимірювальних технологій.
Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.
Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.