1. По условию задачи тепловых потерь не было, поэтому Qотд/Qпол=1
2. Горячий чай охладился на ∆t=100°C-75°C=25°C и отдал количество теплоты |Qотд|=cm1∆t1. Холодная вода нагрелась на ∆t2=75°C-15°C=60°C и получила количество теплоты Qпол=cm2∆t2. Так как эти количества теплоты равны, m1/m2=∆t2/∆t1=60/25=2,4
3. Если к горячему чаю добавлено две порции холодной воды, то чай охладился на ∆t1=100°C-t и отдал количество теплоты |Qотд|=cm1∆t1. А холодная вода нагрелась на ∆t2=t-15°C и получила количество теплоты Qпол=2cm2∆t2. Учитывая, что m1=2,4m2, получаем: t=2,4*100+2*15/2,4+2=61°C
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Объяснение:
1. По условию задачи тепловых потерь не было, поэтому Qотд/Qпол=1
2. Горячий чай охладился на ∆t=100°C-75°C=25°C и отдал количество теплоты |Qотд|=cm1∆t1. Холодная вода нагрелась на ∆t2=75°C-15°C=60°C и получила количество теплоты Qпол=cm2∆t2. Так как эти количества теплоты равны, m1/m2=∆t2/∆t1=60/25=2,4
3. Если к горячему чаю добавлено две порции холодной воды, то чай охладился на ∆t1=100°C-t и отдал количество теплоты |Qотд|=cm1∆t1. А холодная вода нагрелась на ∆t2=t-15°C и получила количество теплоты Qпол=2cm2∆t2. Учитывая, что m1=2,4m2, получаем: t=2,4*100+2*15/2,4+2=61°C
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и