D - размер входного отверстия из условия. Видно, что изображение точки A находится на расстоянии OA' от линзы, тогда как изображение точки, находящейся в бесконечности, будет лежать на расстоянии OF'. Получившееся пятно помечено жирной красной линией. Обозначим его размер, как D'. Из подобия треугольников можно найти следующее:
2 вложение справа
Есть такая формула - "формула тонкой линзы" - она определяет расстояние от изображения точки до линзы. Напишем её с нашими обозначениями и выразим неизвестную часть в предыдущем выражении (не просто OA', а дробь целиком):
1) Полупроводник - это вещество, у которого С(удельное сопротивление) может изменяться в широких пределах, а также быстро убывает с повышением t(температуры), ⇒ с повышением t электрическая проводимость тоже увеличивается(например: кремний).
2)Полупроводник
ЧИСТЫЕ С ПРИМЕСЯМИ
1) электронная (N- >> N+) 1)донорные(отдающие)
2) дырочная (N+ >> N-) 2)акцепторные(принимающие)
cобственная проводимость(электронно-дырочная)
3) Формул там, вообщем-то, и нет... Ток в полупроводнике складывается из электронного In и дырочного Ip токов
I = In + Ip
(при повышении t или при освещении разрушаются прочные связи между электронами в атомах, после чего появляются свободные электроны и их пустые места - дырки; носителями тока являются и дырки, и электроны)
D - размер входного отверстия из условия. Видно, что изображение точки A находится на расстоянии OA' от линзы, тогда как изображение точки, находящейся в бесконечности, будет лежать на расстоянии OF'. Получившееся пятно помечено жирной красной линией. Обозначим его размер, как D'. Из подобия треугольников можно найти следующее:
2 вложение справа
Есть такая формула - "формула тонкой линзы" - она определяет расстояние от изображения точки до линзы. Напишем её с нашими обозначениями и выразим неизвестную часть в предыдущем выражении (не просто OA', а дробь целиком):
см нижнее вложение
Подставляя в первое выражение, получим ответ:
см 3 вложение справа
ответ: 0.05 мм.
1) Полупроводник - это вещество, у которого С(удельное сопротивление) может изменяться в широких пределах, а также быстро убывает с повышением t(температуры), ⇒ с повышением t электрическая проводимость тоже увеличивается(например: кремний).
2)Полупроводник
ЧИСТЫЕ С ПРИМЕСЯМИ
1) электронная (N- >> N+) 1)донорные(отдающие)
2) дырочная (N+ >> N-) 2)акцепторные(принимающие)
cобственная проводимость(электронно-дырочная)
3) Формул там, вообщем-то, и нет...
Ток в полупроводнике складывается из электронного In и дырочного Ip токов
I = In + Ip
(при повышении t или при освещении разрушаются прочные связи между электронами в атомах, после чего появляются свободные электроны и их пустые места - дырки; носителями тока являются и дырки, и электроны)
=)...€∫∫