Пушка и цель находятся на одном уровне на расстоянии 5,10 км друг от друга. Через сколько времени снаряд с начальной скоростью 240 м/с достигнет цели в отсутствие сопротивления воздуха
1. Если тело движется равноускоренно, то его скорость изменяется по закону
v = v0 - g*t (я уже учел, что брошено ВВЕРХ, а ускорение направлено ВНИЗ)
ну а его кинетическая энергия равна m*v*v/2, так что подставив значения, легко найдём значение t, то есть время.
2. Ну а высота изменяется по закону
Н = v0*t - g*t*t/2
Подставим туда t и получим ответ.
Можно решать и по-другому, но советую именно этот метод, он наиболее логичен и последователен. И далее, как побочный эффект ты получишь ещё дополнительную информацию, то есть узнаешь, что таких моментов времени 2, то есть за время своего полёта тело 2 раза будет обладать характеристиками, приведенными в условии, первый раз, когда летит вверх, ну а потом, когда летит вниз.
Цифры подставлять не буду, это чистая арифметика для 1 класса, сам подставь.
Полупроводники это неметаллы, занимающие по проводимости промежуточное положение между проводниками и изоляторами. Собственная проводимость мала и растет с ростом температуры (в отличие от проводников). Собственная проводимость бывает электронная (электроны - носители) и дырочная, которая в принципе тоже электронная, но электрон скачет от одной "дырки" (атома решетки с недостающим электроном) к другой и создается впечатление, что движется именно дырка.
Если легировать (вводить специальные примеси) в полупроводник, то его проводимость растет.Для облегчения рассуждений возьмем конкретный полупроводник - кремний. В его атоме во внешней (слабо связанной с ядром) оболочке 4 электрона. Если легировать его, к примеру мышьяком, с 5 электронами, то каждый электроны внешней оболочки примеси образует с атомом кремния 4 ковалентные связи, а один электрон высвобождается, в легированной зоне появится избыток электронов и обеспечена электронная проводимость. Такая примесь и проводимость называются донорными. Если легировать трехвалентным веществом, например индием, то появляется избыток "дырок" - дырочная проводимость.
Но самое интересное и важное в том, что если создать границу, с одной стороны которой на полупроводнике электронная проводимость, а с другой дырочная, то создается электронно-дырочный (специалисты говорят p-n переход) переход. Он обладает свойством пропускать постоянные ток в одном направлении, запрещая его в противоположном. Этот переход, собственно и есть полупроводниковый диод. На этом свойстве основано и изготовление транзисторов, интегральных схем и так далее.
Задачка очень простая. Гляди
1. Если тело движется равноускоренно, то его скорость изменяется по закону
v = v0 - g*t (я уже учел, что брошено ВВЕРХ, а ускорение направлено ВНИЗ)
ну а его кинетическая энергия равна m*v*v/2, так что подставив значения, легко найдём значение t, то есть время.
2. Ну а высота изменяется по закону
Н = v0*t - g*t*t/2
Подставим туда t и получим ответ.
Можно решать и по-другому, но советую именно этот метод, он наиболее логичен и последователен. И далее, как побочный эффект ты получишь ещё дополнительную информацию, то есть узнаешь, что таких моментов времени 2, то есть за время своего полёта тело 2 раза будет обладать характеристиками, приведенными в условии, первый раз, когда летит вверх, ну а потом, когда летит вниз.
Цифры подставлять не буду, это чистая арифметика для 1 класса, сам подставь.
Полупроводники это неметаллы, занимающие по проводимости промежуточное положение между проводниками и изоляторами. Собственная проводимость мала и растет с ростом температуры (в отличие от проводников). Собственная проводимость бывает электронная (электроны - носители) и дырочная, которая в принципе тоже электронная, но электрон скачет от одной "дырки" (атома решетки с недостающим электроном) к другой и создается впечатление, что движется именно дырка.
Если легировать (вводить специальные примеси) в полупроводник, то его проводимость растет.Для облегчения рассуждений возьмем конкретный полупроводник - кремний. В его атоме во внешней (слабо связанной с ядром) оболочке 4 электрона. Если легировать его, к примеру мышьяком, с 5 электронами, то каждый электроны внешней оболочки примеси образует с атомом кремния 4 ковалентные связи, а один электрон высвобождается, в легированной зоне появится избыток электронов и обеспечена электронная проводимость. Такая примесь и проводимость называются донорными. Если легировать трехвалентным веществом, например индием, то появляется избыток "дырок" - дырочная проводимость.
Но самое интересное и важное в том, что если создать границу, с одной стороны которой на полупроводнике электронная проводимость, а с другой дырочная, то создается электронно-дырочный (специалисты говорят p-n переход) переход. Он обладает свойством пропускать постоянные ток в одном направлении, запрещая его в противоположном. Этот переход, собственно и есть полупроводниковый диод. На этом свойстве основано и изготовление транзисторов, интегральных схем и так далее.