Найдем фокусное расстояние линзы F=1/D=1/10 дптр=0,1 м Найдем расстояние до изображения с формулы тонкой собирающей линзы 1/F=1/d + 1/f (где d - расстояние до предмета, f - расстояние до изображения) 1/f= 1/F - 1/d = 1/0,1 - 1/0,15 =(0,15 - 0,1)/0,015 (привели к общему знаменателю) f = 0,015/(0,15 - 0,1)= 0,015/0,05=0,3 м увеличение линзы Г=f/d=0,3/0,15=2 также Г= H/h (H - высота изображения, h - высота предмета), откуда H=Г*h=2*0,02 м=0,04 м высота изображения в 2 раза больше предмета , т.е. 4 см=0,04 м
1. В полупроводниках существуют отрицательные переносчики тока (электроны) и положительные переносчики тока.
2. С повышением температуры или увеличением напряженности электрического поля увеличивается количество электронов, отрывающихся от атомов кристаллической решетки. Значит, число переносчиков тока в единице объема в этом случае растет, а удельное сопротивление полупроводника уменьшается.
3. Из-за большого удельного сопротивления полупроводников постороннее электрическое поле проникает в них глубже, чем в металлы.
4. Введением примеси в полупроводник можно заметно изменить его удельное сопротивление и характер проводимости.
Найдем расстояние до изображения с формулы тонкой собирающей линзы 1/F=1/d + 1/f (где d - расстояние до предмета, f - расстояние до изображения)
1/f= 1/F - 1/d = 1/0,1 - 1/0,15 =(0,15 - 0,1)/0,015 (привели к общему знаменателю)
f = 0,015/(0,15 - 0,1)= 0,015/0,05=0,3 м
увеличение линзы Г=f/d=0,3/0,15=2
также Г= H/h (H - высота изображения, h - высота предмета), откуда H=Г*h=2*0,02 м=0,04 м
высота изображения в 2 раза больше предмета , т.е. 4 см=0,04 м
1. В полупроводниках существуют отрицательные переносчики тока (электроны) и положительные переносчики тока.
2. С повышением температуры или увеличением напряженности электрического поля увеличивается количество электронов, отрывающихся от атомов кристаллической решетки. Значит, число переносчиков тока в единице объема в этом случае растет, а удельное сопротивление полупроводника уменьшается.
3. Из-за большого удельного сопротивления полупроводников постороннее электрическое поле проникает в них глубже, чем в металлы.
4. Введением примеси в полупроводник можно заметно изменить его удельное сопротивление и характер проводимости.