шар сделаный из диалектрика, заряженый електрикой с объёмной гостиной 8,86 кл/ м^3. какая мощность поля на расстоянии 3 см от центра шара, если её радиус 8 см, диалектрическая проницаемость равна 2
Равноускоренное движение — движение, при котором ненулевой вектор ускорения остаётся неизменным по модулю и направлению.
Примером такого движения является движение тела, брошенного под углом  к горизонту в однородном поле силы тяжести — тело движется с постоянным ускорением , направленным вертикально вниз.
При равноускоренном движении по прямой скорость тела определяется формулой:

Зная, что , найдём формулу для определения координаты x:

Примечание. Равнозамедленнымможно назвать движение, при котором модуль скорости равномерно уменьшается со временем (если вектора  и противонаправлены). Равнозамедленное движение также является равноускоренным.
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Примером такого движения является движение тела, брошенного под углом  к горизонту в однородном поле силы тяжести — тело движется с постоянным ускорением , направленным вертикально вниз.
При равноускоренном движении по прямой скорость тела определяется формулой:

Зная, что , найдём формулу для определения координаты x:

Примечание. Равнозамедленнымможно назвать движение, при котором модуль скорости равномерно уменьшается со временем (если вектора  и противонаправлены). Равнозамедленное движение также является равноускоренным.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и