Итак ) : по закону Ома: ток = напряжение / сопротивление сначала находим ток: т. к ток при последовательном соединении равен на всех участках одному значению, то пока смело отбрасывает 3 провожник. И Напряжение при последовательном соединении складывается со всех элементов т. е напряжение на первом и втором будет равно 24 в. - 4 в. = 20в. Итак ток = 6 ом+ 4 ом= 20в ./ . 10 ом= 2 А. теперь мы знаем ток=) И наконец находим сопоротивление на 3 проводнике : сопр= напр/ток то получится Сопр = 4 в. / 2 А. = 2 Ом Напряж на первом = 4 ом * 2 А = 8.в Напряж на втором = 6 ом * 2 А = 12.в Проверка общее напряжение = 8.в +12.в+4 в= 24 в.
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
ток = напряжение / сопротивление
сначала находим ток: т. к ток при последовательном соединении равен на всех участках одному значению, то пока смело отбрасывает 3 провожник.
И Напряжение при последовательном соединении складывается со всех элементов т. е напряжение на первом и втором будет равно 24 в. - 4 в. = 20в.
Итак ток = 6 ом+ 4 ом= 20в ./ . 10 ом= 2 А. теперь мы знаем ток=)
И наконец находим сопоротивление на 3 проводнике : сопр= напр/ток то получится Сопр = 4 в. / 2 А. = 2 Ом
Напряж на первом = 4 ом * 2 А = 8.в
Напряж на втором = 6 ом * 2 А = 12.в
Проверка общее напряжение = 8.в +12.в+4 в= 24 в.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и