1.Сила — векторная физическая величина, являющаяся мерой интенсивности воздействия на данное тело других тел...
2.СИЛА ТЯЖЕСТИ, сила P, действующая на любое тело, находящееся вблизи земной поверхности, и определяемая как геометрическая сумма силы притяжения Земли F и центробежной силы инерции Q, учитывающей эффект суточного вращения Земли
3.Си́ла упругости — сила, возникающая при деформации тела и противодействующая этой деформации.
4.Тре́ние — процесс взаимодействия тел при их относительном движении либо при движении тела в газообразной или жидкой среде
5.Равнодействующая сила – это сила, которая производит на тело такое же действие, как несколько одновременно действующих сил.
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
2.СИЛА ТЯЖЕСТИ, сила P, действующая на любое тело, находящееся вблизи земной поверхности, и определяемая как геометрическая сумма силы притяжения Земли F и центробежной силы инерции Q, учитывающей эффект суточного вращения Земли
3.Си́ла упругости — сила, возникающая при деформации тела и противодействующая этой деформации.
4.Тре́ние — процесс взаимодействия тел при их относительном движении либо при движении тела в газообразной или жидкой среде
5.Равнодействующая сила – это сила, которая производит на тело такое же действие, как несколько одновременно действующих сил.
1)Вот рисунок это 1
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
Подробнее - на -