Тест " Электрический тест в металлах и полупроводниках"
1.Сопротивление увеличивается при нагревании у 1)ртути, германия, железа; 2) азота, ртути, железа;
3)ртути, железа, цинка; 4)цинка, германия ,азота.
2.При добавлении донорной примеси в кремний его проводимость становится 1)дырочной ,а полупроводник становится полупроводником р-типа; 2) электронной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа;
3) электронной ,а полупроводник становится полупроводником р-типа;
4)дырочной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа.
3.Валентность фосфора равна 5.Его можно использовать в качестве
1)донорной примеси; 2) акцепторной примеси; 3) полупроводника.
4. Если р-n-переход надо закрыть, следует область n-типа подключить к
1)отрицательному полюсу источника тока; 2) положительному полюсу источника тока.
5. В качестве выпрямителя можно использовать 1)транзистор; 2)светодиод; 3)диод
Принцип действия пузырьковой камеры напоминает принцип действия камеры Вильсона. В последней используется свойство перенасыщенного пара конденсироваться в мельчайшие капельки вдоль траектории заряженных частиц. В пузырьковой камере используется свойство чистой перегретой жидкости вскипать (образовывать пузырьки пара) вдоль пути пролёта заряженной частицы. Перегретая жидкость – это жидкость, нагретая до температуры большей температуры кипения для данных условий. Вскипание такой жидкости происходит при появлении центров парообразования, например, ионов. Таким образом, если в камере Вильсона заряженная частица инициирует на своём пути превращение пара в жидкость, то в пузырьковой камере, наоборот, заряженная частица вызывает превращение жидкости в пар.