Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
После замыкания ключа сила тока I2, текущего через амперметр, стала равна 20.57 А
Объяснение:
при разомкнутом ключе ток протекает только через резистор номер 1, зная сопротивление и силу тока найдем напряжение источника питания по закону ома
U = I₁*R₁
U = 10*74
U = 740 В
При замыкании получаем последовательно соединенные R₂ и R₃ и они параллельно к резистору R₁. Найдем полученное сопротивление
R₂₊₃ = 29+41 = 70 Ом
R = R1 * R2/ R1 + R2 формула 2 параллельно подключённых резисторов
R = R₂₊₃ * R₁/ R₂₊₃ + R₁
R = 70 * 74/ 70 + 74
R = 5180/ 144
R = 5180/ 144 = 35 35/36 Ом
I₂ = U/R
I₂ = 740/ 35 35/36 = 20 4/7 А или ≈ 20.57 А
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.