В точке A электрического поля потенциал относительно земли = 16 В, в точке B потенциал = 10 В, а в точке C потенциал = −4 В. Определить разность потенциалов — напряжение между этими точками. Решение − = UAB = − = UBC = − = UCA =
В полупроводнике число свободных носителей заряда растет при повышении температуры так как их количество изначально невысоко, то при прохождении тока и навгреве проводимость сильно возрастает в металле имеется большое количество свободных электронов, металл изначально обладает высокой проводимостью и малым сопротивлением, поэтому при пропускании тока на металле выделяется меньшая мощность чем на полупроводника, он меньше греется, при нагреве число носителей заряда не изменяется, проводимость ухудшается незначительно при обратном напряжении на р-n переходе возникает запирающий слой, носители заряда его не могут преодолеть, ток минимальный, вплоть до напряжения пробоя в узком диапазоне напряжения пробоя работают например стабилитроны
N - мощность горелки,
t - искомое время,
Q - затраченное количество теплоты.
Разберемся поэтапно с Q.
На что наша горелка будет затрачивать энергию?
- плавление льда: λ m(л)
- нагрев образовавшейся воды до температуры кипения от начальной - нуля: c m(л) (100 - 0) = 100 c m(л)
- нагрев воды, которая уже находилась в сосуде: c m(в) (100 - 0) = 100 с m(в)
Таким образом, Q = λ m(л) + 100 c m(л) + 100 с m(в).
Запишем найденную формулу Q в формулу мощности:
N = ( λ m(л) + 100 c m(л) + 100 с m(в) ) / t,
откуда искомое время t:
t = ( λ m(л) + 100 c m(л) + 100 с m(в) ) / N.
Упростим выражение (выносим сотню и удельную теплоемкость воды за скобки):
t = ( λ m(л) + 100 c (m(л) + m(в)) ) / N,
t = ( 335*10^3 * 35*10^-2 + 10^2 * 42*10^2 * 9*10^-1) / 1,5*10^3,
t = (117250 + 378000) / 1,5*10^3,
t = (117,25 + 378) / 1,5 ≈ 330,16 c ≈ 5,5 мин
так как их количество изначально невысоко, то при прохождении тока и навгреве проводимость сильно возрастает
в металле имеется большое количество свободных электронов, металл изначально обладает высокой проводимостью и малым сопротивлением, поэтому при пропускании тока на металле выделяется меньшая мощность чем на полупроводника, он меньше греется, при нагреве число носителей заряда не изменяется, проводимость ухудшается незначительно
при обратном напряжении на р-n переходе возникает запирающий слой, носители заряда его не могут преодолеть, ток минимальный, вплоть до напряжения пробоя
в узком диапазоне напряжения пробоя работают например стабилитроны