3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
Если предмет плоский, то достаточно построить изображение его крайних точек. На рисунке приведены построения изображения для положений предмета АВ перед зеркалом. Как видно, если предмет расположен на расстоянии а1 > R (дальше центра вогнутого зеркала), то образуется перевернутое, действительное, уменьшенное изображение предмета. Для сферического зеркала оптическая сила D определяется формулой где а1и а2— расстояния предмета и изображения от зеркала, R — радиус кривизны зеркала, F — его фокусное расстояние.Отсюда Поперечное линейное увеличение в зеркалах и линзах определяется формулой. где y1 — высота предмета и y2 — высота изображения.Отсюда ответ:, изображение действительное, обратное, уменьшенное
1)Вот рисунок это 1
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
Подробнее - на -