Выражение (1) обозначает, для вычисления осевого момента инерции берется по всей площади S сумма произведений бесконечно малых площадок (dS) умноженных на квадраты расстояний от них до оси вращения:
Сумма осевых моментов инерции сечения относительно взаимно перпендикулярных осей (например, относительно осей X и Y в декартовой системе координат) дают полярный момент инерции (J_p) относительно точки пересечения этих осей:
R=R0([email protected]) формула В проводниках (металлы и их сплавы) электическое сопротивление линейно возрастает с температурой. При малой температуре амплитуда тепловых колебаний атомов и ионов около положения равновесия невелика, и электроны почти беспрепятственно движутся в кристаллической решетке металлического проводника под действием электрического поля. С увел. температуры амплитуда колебаний возрастает, у электронов остается меньше места для беспрепятственного движения в кристаллической решетке, они чаще сталкиваются с атомами и ионами => сопротивление упорядоченному движению возрастает.
Осевым (или экваториальным) моментом инерции сечения относительно оси называется величина, которую определяют как:
\[J_x=\int_S{y^2dS\ ; \ J_y=\int_S{x^2dS}} \qquad (1)\]
Выражение (1) обозначает, для вычисления осевого момента инерции берется по всей площади S сумма произведений бесконечно малых площадок (dS) умноженных на квадраты расстояний от них до оси вращения:
Сумма осевых моментов инерции сечения относительно взаимно перпендикулярных осей (например, относительно осей X и Y в декартовой системе координат) дают полярный момент инерции (J_p) относительно точки пересечения этих осей:
\[J_x+J_y=J_p \qquad (2)\]
Объяснение:
В проводниках (металлы и их сплавы) электическое сопротивление линейно возрастает с температурой. При малой температуре амплитуда тепловых колебаний атомов и ионов около положения равновесия невелика, и электроны почти беспрепятственно движутся в кристаллической решетке металлического проводника под действием электрического поля. С увел. температуры амплитуда колебаний возрастает, у электронов остается меньше места для беспрепятственного движения в кристаллической решетке, они чаще сталкиваются с атомами и ионами => сопротивление упорядоченному движению возрастает.