Вычисли, какая энергия потребовалась бы для разделения m = 1 г ядер азота N718 на составляющие ядро протоны и нейтроны. Рассчитай, сколько килограммов каменного угля потребуется сжечь для получения такой энергии.
Удельная теплота сгорания каменного угля равна q = (33 000 кДж/кг.
Масса ядра изотопа азота равна mя = 18,014079 а. е. м.
Масса свободного протона равна mp = 1,00728 а. е. м.
Масса свободного нейтрона равна mn = 1,00866 а. е. м.
(Значение энергии округли до сотых, массу угля округли до десятых).
ответ: энергия, необходимая для расщепления азота, т. е. E =
⋅1011 Дж.
Масса угля my =
т.
Объяснение:
Дано:
R₁ = 1 Ом
R₂ = 3 Ом
R₃ = 20 Ом
R₄ = 5 Ом
P = 800 Вт
Рассчитать цепь.
1)
Резисторы R₁ и R₂ соединены последовательно, поэтому:
R₁₂ = R₁ + R₂ = 1 + 3 = 4 Ом
2)
Резисторы R₃ и R₄ соединены параллельно, поэтому:
R₃₄ =R₃·R₄ / (R₃+R₄) = 20·5/(20+5) = 4 Ом
3)
Общее сопротивление цепи:
R = R₁₂ + R₃₄ = 4 + 4 = 8 Ом
4)
Общий ток:
Из формулы:
P = I²·R
I = √ (P / R) = √ (800 / 8) = 10 А
5)
Общее напряжение:
U = P / I = 800 / 10 = 80 В
6)
U₁ = I·R₁ = 10·1 = 10 В
U₂ = I·R₂ = 10·3 = 30 В
7)
U₃ = U₄ = U - (U₁+U₂) = 80 - (10+30) = 40 В
8)
I₃ = U₃/R₃ = 40 / 20 = 2 А
I₄ = I - I₃ = 10 - 2 = 8 А
Проверка:
I₄ = U₄/R₄ = 40 / 5 = 8 А
Расчет произведен правильно
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.