1)В проводнике всегда имеются свободные носители заряда, это его почти неотъемлемое свойство. В полупроводнике эти носители вот-вот появились бы, но "в норме" их нет; они появляются при определённых условиях, при добавлении каких-то примесей (легировании) и т. п.
Таким образом, образованием и исчезновением носителей полупроводника можно управлять технологически.
Например, соединив два куска проводника разного легирования, можно изготовить диод, который проводит ток только в одном направлении; соединив три куска, можно изготовить транзистор, в котором ток в одном куске управляет прохождением тока через два других (электронный вентиль) ; можно изготовить фотоэлемент, который под воздействием света будет менять свою проводимость и так далее.
2)При повышении температуры электролита возрастает средняя кинетическая энергия теплового движения молекул, увеличивается и число пар ионов, образующихся в единицу времени. Из-за увеличения концентрации ионов при повышении температуры значение электрического сопротивления электролита с повышением температуры уменьшается.
3)Чтобы убедиться в том, что в кольцевом сверхпроводнике действительно устанавливается неизменный ток, можно проверить неизменность магнитного поля, созданного сверхпроводником.
4)Дырочная проводимость (р-проводимость) — Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике.
5)Акцепторная примесь - (от лат. acceptor принимающий) примесь в полупроводнике, ионизация которой сопровождается захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный пример акцепторной примеси - атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках.
6)Какую примесь надо ввести в полупроводник, чтобы получить полупроводник n-типа? Полупроводник n-типа означает, что основные носители зарядов отрицательны (n - negativ), значит нужна примесь, которая "даёт" электроны, например, мышьяк As. Тот, кто даёт электроны - донор, как и тот кто кровь даёт.
7)В контакте двух проводников n- и p-типов происходит диффузия основных носителей заряда из одного проводника в другой, получится п-р или р-п переход.
8)При использовании p-n-перехода в реальных полупроводниковых приборах к нему может быть приложено внешнее напряжение. Величина и полярность этого напряжения определяют поведение перехода и проходящий через него электрический ток. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При изменении указанной полярности включение p-n-перехода называют обратным.
При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, рисунок 2. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.
9)Ионная проводимость - это проводимость водных растворов или расплавов электролитов, которая осуществляется ионами. Электролиз - процесс выделения на электроде вещества, связанного с окислительно-восстановительными реакциями.
10)Электролиз находит применение в очистке сточных вод (процессы электрокоагуляции, электроэкстракции, электрофлотации). Применяется для получения многих веществ (металлов, водорода, хлора и др.), при нанесении металлических покрытий (гальваностегия), воспроизведении формы предметов (гальванопластика).
1)В проводнике всегда имеются свободные носители заряда, это его почти неотъемлемое свойство. В полупроводнике эти носители вот-вот появились бы, но "в норме" их нет; они появляются при определённых условиях, при добавлении каких-то примесей (легировании) и т. п.
Таким образом, образованием и исчезновением носителей полупроводника можно управлять технологически.
Например, соединив два куска проводника разного легирования, можно изготовить диод, который проводит ток только в одном направлении; соединив три куска, можно изготовить транзистор, в котором ток в одном куске управляет прохождением тока через два других (электронный вентиль) ; можно изготовить фотоэлемент, который под воздействием света будет менять свою проводимость и так далее.
2)При повышении температуры электролита возрастает средняя кинетическая энергия теплового движения молекул, увеличивается и число пар ионов, образующихся в единицу времени. Из-за увеличения концентрации ионов при повышении температуры значение электрического сопротивления электролита с повышением температуры уменьшается.
3)Чтобы убедиться в том, что в кольцевом сверхпроводнике действительно устанавливается неизменный ток, можно проверить неизменность магнитного поля, созданного сверхпроводником.
4)Дырочная проводимость (р-проводимость) — Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике.
5)Акцепторная примесь - (от лат. acceptor принимающий) примесь в полупроводнике, ионизация которой сопровождается захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный пример акцепторной примеси - атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках.
6)Какую примесь надо ввести в полупроводник, чтобы получить полупроводник n-типа? Полупроводник n-типа означает, что основные носители зарядов отрицательны (n - negativ), значит нужна примесь, которая "даёт" электроны, например, мышьяк As. Тот, кто даёт электроны - донор, как и тот кто кровь даёт.
7)В контакте двух проводников n- и p-типов происходит диффузия основных носителей заряда из одного проводника в другой, получится п-р или р-п переход.
8)При использовании p-n-перехода в реальных полупроводниковых приборах к нему может быть приложено внешнее напряжение. Величина и полярность этого напряжения определяют поведение перехода и проходящий через него электрический ток. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При изменении указанной полярности включение p-n-перехода называют обратным.
При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, рисунок 2. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.
9)Ионная проводимость - это проводимость водных растворов или расплавов электролитов, которая осуществляется ионами. Электролиз - процесс выделения на электроде вещества, связанного с окислительно-восстановительными реакциями.
10)Электролиз находит применение в очистке сточных вод (процессы электрокоагуляции, электроэкстракции, электрофлотации). Применяется для получения многих веществ (металлов, водорода, хлора и др.), при нанесении металлических покрытий (гальваностегия), воспроизведении формы предметов (гальванопластика).
Объяснение:
Бро, пыталась, честно!
Екин=mv^2/2 = 0.14 кг*35^2 м/с/2=86 Дж
H=v/g=36/10=3,5 м
Епот=mgh=0.14*10*3,6=5 дж
2.Поскольку m = m₁=m₂, Δt = Δt₁=Δt₂, то количество теплоты определяется только удельной теплоемкостью тела.
Q₁ = с₁·m·Δt
Q₂ = с₂·m·Δt
c₁ = 920 Дж/(кг·°С) — удельная теплоемкость олова
c₂ = 250 Дж/(кг·°С) — удельная теплоемкость серебра
Поскольку с₂<c₁, то и Q₂<Q₁
То есть тела получат разное количество теплоты.
3.Наибольшей теплоемкостью будет обладать то тело, у которого скорость изменения температуры будет наименьшей.
Объяснение:
вроде