2) Обратный ток p-n перехода прямо пропорционален ширине запретной зоны и зависит от температуры как
5)
Вероятно, это какой то специфичный вопрос. Обычно правила ТБ описаны рядом с установкой или в методичке к работе. В общем случае могу предложить Вам прочитать их здесь.
Объяснение:
2) Обратный ток p-n перехода прямо пропорционален ширине запретной зоны и зависит от температуры как
5)
Вероятно, это какой то специфичный вопрос. Обычно правила ТБ описаны рядом с установкой или в методичке к работе. В общем случае могу предложить Вам прочитать их здесь.
https://ohranatrud-ua.ru/instruktsii-po-okhrane-truda/61-instruktsiya-po-okhrane-truda-pri-rabote-na-stende.html
6) К основным параметрам полупроводниковых диодов относятся:
предельно допустимый прямой (выпрямительный) ток, прямое падение напряжения, пороговое прямое напряжение, обратный ток, обратное напряжение, напряжение пробоя диода, ёмкость p-n-перехода.Внутреннее сопротивление источника r, а эдс E, тогда ток в первом случае
I1=E/(r+3)
во втором
I2=E(r+12)
а мощность на лампочках
I^2*R=E^2/(r+3)^2*3=E^2/(r+12)^2*12
решая относительно r уравнение 3/(r+3)^2=12/(r+12)^2
получаем r=6 Ом
Коэффициентом полезного действия (КПД) источника называется отношение полезной мощности к полной мощности источника, поэтому
КПД=I*U/(I*E)=U/E
Таким образом, КПД источника равен отношению напряжения во внешней цепи к величине ЭДС.
то есть
КПД1=(E-I1*r)/E=1-r/(r+3)=1/3
КПД2=(E-I2*r)/E=1-r/(r+12)=2/3
Объяснение: