ответ: 1. Обычно поверхность окисляемых металлических изделий покрывают трудноокисляемыми металлическими покрытиями из никеля, цинка, серебра, золота и др.
2. Гальваностегия — электролитическое осаждение тонкого слоя металла на поверхности какого-либо металлического предмета, детали.
3. Гальванопластика - покрытие поверхности предметов металлом с электролиза с целью получения формы
Гальванопластика широко используется в типографском деле в сочетании с современными технологиями и компьютерной техникой.
ответ: 1. Обычно поверхность окисляемых металлических изделий покрывают трудноокисляемыми металлическими покрытиями из никеля, цинка, серебра, золота и др.
2. Гальваностегия — электролитическое осаждение тонкого слоя металла на поверхности какого-либо металлического предмета, детали.
3. Гальванопластика - покрытие поверхности предметов металлом с электролиза с целью получения формы
Гальванопластика широко используется в типографском деле в сочетании с современными технологиями и компьютерной техникой.
Объяснение: надеюсь
Объяснение:Система дифференциальных уравнений для описания электростатического поля имеет вид:
div D = 4πρ; rot E = 0;
∂ρ
∂t = 0; D = E + 4πP, (1)
Здесь D - вектор индукции, E - вектор напряженности электрического поля, P - вектор поляризации среды,
ρ - объемная плотность заряда. Векторы, определяющие свойства электростатического поля, являются
функциями от координат и не зависят от времени.
В случае однородной изотропной среды для слабых полей (слабым является поле, если оно много меньше
внутриатомного) вектор поляризации связан с вектором напряженности линейным соотношением P = κ E,
где коэффициент κ - коэффициент диэлектрической восприимчивости среды. В этом простейшем случае
вектор индукции электрического поля пропорционален вектору напряженности D = E, а - называется
диэлектрической проницаемостью среды: = 1 + 4πκ.
Для сред со сложными пространственными свойствами (например, анизотропные среды) соотношения,
устанавливающие связь векторов индукции и напряженности поля определяются покомпонентно:
Pi =
X
3
k=1
κi k Ek; Di =
X
3
k=1
i k Ek; i k = 1 + 4π κi k; i ∈ 1, 2, 3,