Зякою силою діє однорідне магнітне поле,індукція якого 50мтл ,на провідник завдовжки 10 см розташований під кутом 30° до силових ліній при силі струму 1 а?
Такое разделение позволят осуществить фракционная дистилляция при низкотемпературного дефлегматора.
Важно понимать, что перечисленные в задании газы имеют различную температуру сжижения/кипения и кристаллизации/плавления Эти температуры составляют, соответственно:
водород гелий-3 – сверхтекучее вещество. гелий – сверхтекучее вещество. дейтерий в форме тяжёлого молекулярного водорода. неон. азот. аргон.
1. После снижения температуры камеры дефлегматора до – неон азот и аргон кристаллизуются и из камеры можно будет выпустить в отдельный отсек смесь газов, состоящую из водорода гелия-3 обычного гелия и молекулярного дейтерия
2. Новую смесь, полученную в первой перегонке необходимо охладить в камере дефлегматора до температуры около Дейтерий при этом превратиться в кристаллы, а обычный водород – станет жидким. Остаётся слить жидкий водород из камеры и переходить к третьей перегонке.
3. Почти готовую смесь дейтерия гелия-3 и обычного гелия в третьей стадии низкотемпературной дефлегмации необходимо охладить до после чего обычный, более тяжёлый, гелий окажется сжиженным, и его можно будет слить, так что в камере останутся только кристаллы дейтерия и газообразный гелий-3 что и требуется по условию задачи.
Далее смесь можно перевести к необходимым температурам.
Необходимо понимать, что достижение столь низких температур – высоко-энерго-затратно.
Два параллельно соединённых резистора R1 и R2 и резистор R3 - последовательное соединение, общее эквивалентное сопротивление которого равно 4 Ом. Общее эквивалентное сопротивление последовательного соединения равно сумме сопротивлений, то есть Rобщэкв=R12экв+R3, где Rобщэкв=4 Ом - общее эквивалентное сопротивление всего участка цепи, R3=3 Ом - сопротивление резистора R3, R12экв - эквивалентное сопротивление параллельно соединённых резисторов R1 и R2. Отсюда R12экв=Rобщэкв-R3=4-3=1 (Ом) Эквивалентное сопротивление параллельно соединённых резисторов R1 и R2 находится по формуле: 1/R12экв=1/R1+1/R2, а так как R1=R2, то 1/R12экв=1/R1+1/R1 1/R12экв=2/R1, отсюда R12экв=R1/2, и R1=R2=2*R12экв=2*1=2 (Ом)
Важно понимать, что перечисленные в задании газы имеют различную температуру сжижения/кипения и кристаллизации/плавления Эти температуры составляют, соответственно:
водород
гелий-3 – сверхтекучее вещество.
гелий – сверхтекучее вещество.
дейтерий в форме тяжёлого молекулярного водорода.
неон.
азот.
аргон.
1. После снижения температуры камеры дефлегматора до – неон азот и аргон кристаллизуются и из камеры можно будет выпустить в отдельный отсек смесь газов, состоящую из водорода гелия-3 обычного гелия и молекулярного дейтерия
2. Новую смесь, полученную в первой перегонке необходимо охладить в камере дефлегматора до температуры около Дейтерий при этом превратиться в кристаллы, а обычный водород – станет жидким. Остаётся слить жидкий водород из камеры и переходить к третьей перегонке.
3. Почти готовую смесь дейтерия гелия-3 и обычного гелия в третьей стадии низкотемпературной дефлегмации необходимо охладить до после чего обычный, более тяжёлый, гелий окажется сжиженным, и его можно будет слить, так что в камере останутся только кристаллы дейтерия и газообразный гелий-3 что и требуется по условию задачи.
Далее смесь можно перевести к необходимым температурам.
Необходимо понимать, что достижение столь низких температур – высоко-энерго-затратно.
Rобщэкв=R12экв+R3, где Rобщэкв=4 Ом - общее эквивалентное сопротивление всего участка цепи, R3=3 Ом - сопротивление резистора R3, R12экв - эквивалентное сопротивление параллельно соединённых резисторов R1 и R2. Отсюда
R12экв=Rобщэкв-R3=4-3=1 (Ом)
Эквивалентное сопротивление параллельно соединённых резисторов R1 и R2 находится по формуле:
1/R12экв=1/R1+1/R2, а так как R1=R2, то
1/R12экв=1/R1+1/R1
1/R12экв=2/R1, отсюда
R12экв=R1/2, и
R1=R2=2*R12экв=2*1=2 (Ом)