б) электроотрицательности - As, Ge, S, Cl, O, P, Mg
в) радиуса атома - I, Zr, S, As, F, Te, N
Задание №3
Расположите высшие гидроксиды стронция, йода, молибдена, циркония и сурьмы в порядке убывания их кислотных свойств. Объясните причину такого изменения свойств гидроксидов. Приведите пример аналогичного изменения свойств на примере гидроксидов одного металла.
Сколько спаренных и неспаренных электронов содержат эти атомы? Сколько неспаренных электронов содержат ионы Fe2+, Cu2+, As3- ?
Задание №2
Расположите элементы в порядке увеличения:
а) металлических свойств - Se, Li, Br, Rb, Cr, K, Sc
б) электроотрицательности - As, Ge, S, Cl, O, P, Mg
в) радиуса атома - I, Zr, S, As, F, Te, N
Задание №3
Расположите высшие гидроксиды стронция, йода, молибдена, циркония и сурьмы в порядке убывания их кислотных свойств. Объясните причину такого изменения свойств гидроксидов. Приведите пример аналогичного изменения свойств на примере гидроксидов одного металла.
Задание №4
Используя правило Гунда, привед
Обозначим :
Н - высота пирамиды
h - высота основания пирамиды
r -радиус окружности, вписанной в основание
а - сторона основания
Решение
а) высота пирамиды Н = L· sinβ
б) проекция апофемы на плоскость основания -это радиус вписанной окружности r = L · cosβ.
в) сторона основания пирамиды а = 2r/tg 30° = 2L· cosβ/(1/√3) =
= 2√3 · L·cosβ
г) площадь основания пирамиды Sосн = 0.5h·a, где h = a·cos30°.
Тогда Sосн = 0.25a²·√3 = 0.25 · √3 · (2√3 · L·cosβ)² = 3√3L² · cos²β
д) Площадь боковой поверхности пирамиды
Sбок = 3 · 0,5 · L · a = 1.5L · 2√3 · L·cosβ = 3√3 · L² · cosβ
e) площадь полной поверхности пирамиды:
Sполн = Sосн + Sбок = 3√3 · L² · cos²β + 3√3 · L² · cosβ =
= 3√3 · L² · cosβ · (cosβ + 1)
Подробнее - на -