Тельные
Исполнитель Чертёжник перемещается на координатной плоскости,
оставляя след в виде линии. Чертёжник может выполнять команду Сместиться
на (a, b) (где a, b – целые числа), перемещающую Чертёжника из точки с коор-
динатами (x, y) в точку с координатами (х + a, y + b). Если числа a, b положи-
тельные, значение соответствующей координаты увеличивается; если отрица-
уменьшается.
Например, если Чертёжник находится в точке с координатами (9, 5), то коман-
да Сместиться на (1, -2) переместит Чертёжника в точку (10, 3).
Запись
Повтори е раз
Команда Команда2 Команда
конец
означает, что последовательность команд Команда1 Команда2 Команда3 повто-
рится раз.
Чертёжнику был дан для исполнения следующий алгоритм:
Повтори 4 раза
Сместиться на (-2, 4) Сместиться на (3, -2) Сместиться на (-2, 3)
ковец
Какую одну команду нужно выполнить после выполнения этого алгоритма,
чтобы Чертёжник вернулся в ту же точку, в которой находился до выполнения
алгоритма?
1) Сместиться на (-1, 5)
2) Сместиться на (-4, 20)
3) Сместиться на (4, -20)
4) Сместиться на (1, -5)
​

Поскольку микросхема создается на поверхности пластины, технология ее изготовления называется планарной (от англ.“planar” – “плоский”). Ее основу составляет литография. Наз-вание “литография” происходит от греческих слов “литос” камень и “графо” – пишу, что дословно означает “писать на камне”. Литография в микроэлектронике – это действительно формирования заданного рисунка (рельефа) в слое полупроводника.

     Изготовление, или “выращивание”, интегральной микросхемы включает в себя несколько основных этапов:

1. Подготовка подложки

     Подложкой обычно является пластина кристалла кремния (Si) _ самого распространенного полупроводника на Земле. Обычно пластина имеет форму диска диаметром 200 мм и толщиной менее миллиметра. Получают ее разрезанием цилиндрического монокристалла.

     Так как свойства полупроводникового кристалла сильно зависят от направления (вдоль или поперек кристалла), то перед тем как нарезать кристалл на пластины, его свойства измеряют

во всех направлениях и ориентируют нужным образом.

     Для резки монокристаллов на пластины применяются диски с режущей кромкой, покрытой алмазной крошкой размером 40-60 микрон, поэтому после резки пластины получаются шерохо-ватыми, на них остаются царапины, трещины и другие дефекты, нарушающие однородность структуры приповерхностного слоя и его физико_химические свойства. Чтобы восстановить поверхностный слой, пластину тщательно шлифуют и полируют.

     Все процессы по обработке полупроводниковых пластин проводятся в условиях вакуумной гигиены в специальных помещениях со сверхчистой атмосферой. В противном случае пыль может осесть на пластину и нарушить элементы и соединения микросхемы (гораздо меньшие по размерам, чем сама пыль). Очищенная кремниевая пластина подвергается так называемому оксидированию (или окислению) _ воздействию на заготовку кислородом, которое происходит под высокой температурой (1000°C).

     Таким образом на поверхности заготовки создается тончайший слой диоксида кремния SiO2. Регулируя время воздействия кислорода и температуру кремниевой подложки, можно легко сформировать слой оксида нужной толщины. Диоксидная пленка отличается очень высокой химической стойкостью, большой прочностью и обладает свойствами хорошего диэлектрика, что обеспечивает надежную изоляцию находящегося под ним кремния и защищает его от нежелательных воздействий в ходе дальнейшей обработки.

2. Нанесение фоторезиста

     Если некоторые области кремния, лежащие под слоем оксида, необходимо подвергнуть обработке, то оксид надо предварительно удалить с соответствующих участков. Для этого на

диоксидную пленку наносится слой фоторезиста.

Рис 102 .Исходная полупроводниковая пластина с

проводимостью р_типа, покрытая слоями SiO2, и

фоторезиста: 1 _ слой фоторезиста, 2 _ слой SiO2,

3 _ полупроводниковая пластина

     Фоторезист – это светочувствительный материал, который после облучения становится

растворимым в определенных химических веществах. Фотошаблон представляет собой пластинку, состоящую из прозрачных и непрозрачных участков, и играет роль трафарета.

       3. Экспонирование

       На следующем этапе-экспонировании-пластину с наложенным на нее фотошаблоном подвергают действию излучения. Фоторезист, расположенный под прозрачными участками

фотошаблона, засвечивается.

Рис 103. Облучение фоторезиста через фотошаблон:

1 _ засвеченный участок фоторезиста, 2 _ слой SiO2,

3 _ полупроводниковая пластина, 4 – фотошаблон

       В результате засвеченный слой, чьи структура и химические свойства изменились под действием излучения, а также находящийся под ним слой диоксида кремния могут быть удалены с химикатов (каждый слой-своим химикатом).

качели так как всё остальное относится к хоккею

маленький так как ко всему остальному синоним старый

дополнение так как все остальны ну какбы клавные

башмаки так как он может быть и в ед ч и в мн ч

хлопоты так как глагол

Дебри , по тому что это слово не соответствует по значению с другими словами.

мозоль - 3 cкл. ж.р. 
вестибюль - 2 скл. м.р. 
панцирь - 2 скл. м.р. 
подорожник - приставка по-. 
бумага - материал для письма 
джойстик - беспроводное устройство 
мышь - нет изображения или подключается к процессору 
процессор - не для хранения информации 
калькулятор - устройство для счёта