а) Заряд ядра ( в периодах и группах увеличивается ) N<P, As>N, N<O, P>Si б) Число электронных слоев ( в группах увеличивается, а в периодах не изменяется и = № периода) N<P, As>N, N<O, P>Si в) Число электронов на внешнем уровне ( в группах не изменяется и = № группы, а в периодах увеличивается ) N<P, As>N, N<O г) Радиус ( в группах увеличивается, а в периодах уменьшается) N<P, As>N, N>O, P<Si д) Восстановительные свойства ( в группах усиливаются, а в периодах ослабевают ) N<P, As>N, N>O, P<Si е) Окислительные свойства ( в группах ослабевают, а в периодах усиливаются ) N>P, As<N, N<O, P>Si
N<P, As>N, N<O, P>Si
б) Число электронных слоев ( в группах увеличивается, а в периодах не изменяется и = № периода)
N<P, As>N, N<O, P>Si
в) Число электронов на внешнем уровне ( в группах не изменяется и = № группы, а в периодах увеличивается )
N<P, As>N, N<O
г) Радиус ( в группах увеличивается, а в периодах уменьшается)
N<P, As>N, N>O, P<Si
д) Восстановительные свойства ( в группах усиливаются, а в периодах ослабевают )
N<P, As>N, N>O, P<Si
е) Окислительные свойства ( в группах ослабевают, а в периодах усиливаются )
N>P, As<N, N<O, P>Si