• Наружный электронный слой содержит 5 электронов. Наличием трех
неспаренных электронов на внешнем энергетическом уровне
объясняет то, что в нормальном, невозбужденном состоянии
валентность фосфора равна 3.
• Но на третьем энергетическом уровне имеются вакантные ячейки dорбиталей, поэтому при переходе в возбужденное состояние 3Sэлектроны будут разъединяться, переходить на d подуровень, что
приводит к образованию 5-ти неспаренных элементов.
• Таким образом, валентность фосфора в возбужденном состоянии
равна 5.
• В соединениях фосфор обычно проявляет степень окисления +5(P2O5,
H3PO4), реже +3(P2O3, PF3), -3(AlP, PH3, Na3P, Mg3P2).
Найменша комірка, яка зберігає усі елементи симетрії кристалу, називається елементарною коміркою.
Навіть у випадку кристалу із одним сортом атомів елементарна комірка містить кілька атомів. Наприклад, кристал заліза має кубічну об'ємноцентровану ґратку із 2 атомами в елементарній комірці. При високих температурах залізо переходить у фазу з ґранецентрованою кубічною ґраткою із 4 атомами в елементарній комірці.
період або параметр ґратки дорівнює довжині ребра ґратки у напрямі головних осей кристалічної ґратки;
координаційне число (К) характеризує щільність пакування ґратки, визначає кількість найближчих і рівновіддалених атомів у певній кристалічній ґратці;
базис — це кількість атомів (іонів), що належать до однієї ґратки;
атомний радіус — це половина відстані між центрами найближчих атомів у кристалічній ґратці певної кристалічної системи;
коефіцієнт компактності — це відношення об'єму, що займають атоми (іони), до всього об'єму ґратки даного типу.
Дефекти кристалічної ґратки
Дефекти кристалічної ґратки. а — незаповнений вузол (вакансія); б — власний атом між вузлами; в — чужорідний атом між вузлами; г — чужорідний атом у вузлі; д — йон з аномальним зарядом.
Розташування структурних елементів у кристалічних ґратках мінералів рідко відповідає цій класичній картині, яка характеризується послідовним розташуванням у ґратці атомів або йонів (так звані ідеальні кристали). На противагу ідеальним кристалам, для яких характерне правильне розташування і періодичність атомів або йонів, реальні кристали відрізняються рядом відхилень — дефектів кристалічної ґратки (дислокацій). Згідно з загальноприйнятою класифікацією, розрізняють такі дефекти кристалічної ґратки (мал.):
пустий вузол, створений внаслідок випадання з ідеальної ґратки атома або йона;
власний атом або йон ґратки, розташований між її вузлами;
чужорідний атом або йон, розташований між вузлами ґратки;
чужорідний атом, який заміщає власний атом ґратки;
йон у ґратці в нормальному стані, але з аномальним зарядом.
• Электронная конфигурация атома фосфора
• 1s22s22p63s23p3
• Наружный электронный слой содержит 5 электронов. Наличием трех
неспаренных электронов на внешнем энергетическом уровне
объясняет то, что в нормальном, невозбужденном состоянии
валентность фосфора равна 3.
• Но на третьем энергетическом уровне имеются вакантные ячейки dорбиталей, поэтому при переходе в возбужденное состояние 3Sэлектроны будут разъединяться, переходить на d подуровень, что
приводит к образованию 5-ти неспаренных элементов.
• Таким образом, валентность фосфора в возбужденном состоянии
равна 5.
• В соединениях фосфор обычно проявляет степень окисления +5(P2O5,
H3PO4), реже +3(P2O3, PF3), -3(AlP, PH3, Na3P, Mg3P2).
Найменша комірка, яка зберігає усі елементи симетрії кристалу, називається елементарною коміркою.
Навіть у випадку кристалу із одним сортом атомів елементарна комірка містить кілька атомів. Наприклад, кристал заліза має кубічну об'ємноцентровану ґратку із 2 атомами в елементарній комірці. При високих температурах залізо переходить у фазу з ґранецентрованою кубічною ґраткою із 4 атомами в елементарній комірці.
Типи раток
Кристалічні системи
(Сингонія) 14 ґраток Браве
триклінна Triclinic
моноклінна примітивна базоцентрована
Monoclinic, simple Monoclinic, centered
ромбічна примітивна базоцентрована об'ємноцентрована гранецентрована
Orthorhombic, simple Orthorhombic, base-centered Orthorhombic, body-centered Orthorhombic, face-centered
гексагональна Hexagonal
тригональна Rhombohedral
тетрагональна примітивна об'ємноцентрована
Tetragonal, simple Tetragonal, body-centered
кубічна примітивна об'ємноцентрована гранецентрована
Cubic, simple Cubic, body-centered Cubic, face-centered
Основні параметри кристалічних ґраток[1]:
період або параметр ґратки дорівнює довжині ребра ґратки у напрямі головних осей кристалічної ґратки;
координаційне число (К) характеризує щільність пакування ґратки, визначає кількість найближчих і рівновіддалених атомів у певній кристалічній ґратці;
базис — це кількість атомів (іонів), що належать до однієї ґратки;
атомний радіус — це половина відстані між центрами найближчих атомів у кристалічній ґратці певної кристалічної системи;
коефіцієнт компактності — це відношення об'єму, що займають атоми (іони), до всього об'єму ґратки даного типу.
Дефекти кристалічної ґратки
Дефекти кристалічної ґратки. а — незаповнений вузол (вакансія); б — власний атом між вузлами; в — чужорідний атом між вузлами; г — чужорідний атом у вузлі; д — йон з аномальним зарядом.
Розташування структурних елементів у кристалічних ґратках мінералів рідко відповідає цій класичній картині, яка характеризується послідовним розташуванням у ґратці атомів або йонів (так звані ідеальні кристали). На противагу ідеальним кристалам, для яких характерне правильне розташування і періодичність атомів або йонів, реальні кристали відрізняються рядом відхилень — дефектів кристалічної ґратки (дислокацій). Згідно з загальноприйнятою класифікацією, розрізняють такі дефекти кристалічної ґратки (мал.):
пустий вузол, створений внаслідок випадання з ідеальної ґратки атома або йона;
власний атом або йон ґратки, розташований між її вузлами;
чужорідний атом або йон, розташований між вузлами ґратки;
чужорідний атом, який заміщає власний атом ґратки;
йон у ґратці в нормальному стані, але з аномальним зарядом.
Объяснение: