Мама с Севой отправились в ТЦ. -Мне надо снять накопленные 20000 рублей в банкомате! - сказала мама и встала в очередь у банкомата "Сила". В руках у неё была карта этого банка.
-А почему мы не можем снять деньги в этих банкоматах, где нет очереди? - спросил Сева, показывая на стоящие рядом банкоматы " Витязь", "Богатырь и " Башня".
-Условия банкомата "Витязь" нам сейчас совсем не подходят, - ответила мама и показала на текст, размещённый рядом с этим банкоматом:
"При снятии наличности с карты " Сила" через банкомат "Витязь" лимит состовляет 7000 рублей или 200 долларов США. С 2018 года банк "Витязь" не снимает комиссию за получение наличных денежных средств с карт сторонних банков.
При снятии денежных средств в банкоматах других банков комиссия составит 1% от суммы, но не менее 100 рублей."
1.Какое из условий пользования банкоматами "Витязь" имела в виду мама Севы, когда сказала, что они им не подходят?
The junction field-effect transistor action. It was previously emphasized that one of the main properties of the bipolar transistor is that it is a current-controlled amplifying device; the output current is controlled by a small input current. In the case of the field-effect transistor (FET) it is the input voltage which controls the output current. The current drawn by the input is usually negligible. This is a great advantage where the signal comes from a device such as capacitor microphone or piezoelectric transducer, which is unable to supply a significant current. FET’s are basically of two types: the junction field-effect transistor (JFET) and the insulated gate field-effect transistor (IGFET). The latter is more commonly known by a name metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
At a point along the bar a region of p-type silicon forms a p-n junction. In normal operation, the junction is reverse-biased. The lower contact on the bar is called the source and the upper contact the drain. The electron current flows from source to drain and is controlled by the voltage applied to the p-region called the gate.
An alternative type of construction is the p-channel device where the gate is made of n-type material.
The operation of the JFET depends upon variations in the size of the depletion layer at the reverse-biased gate junction. The p-type gate is much more heavily doped than the n-type bar, so that the depletion region exists almost entirely in the bar. The gate carries a negative bias voltage relative to the source which give rise to the particular shape of the depletion region: this is wider at the top than the bottom. The wider the depletion layer, the narrower the channel there is available for the flow of electrons from source to drain, since the depletion region itself being devoid of current carries, behaves like an insulator.
Unlike the bipolar transistor, the FET employs only majority carriers for its operation. It is therefore sometimes called the unipolar transistor and is less susceptible than the bipolar type to temperature changes and nuclear radiation.
Пошаговое объяснение:
y=(x+2)^2+4 - квадратичная функция, график - парабола, ветви направлены вверх, график можно получить путём параллельного переноса графика функции y=x^2 на 2 единичных отрезка влево и на 4 единичных отрезка вниз
1) D(y)=R
2) Нули: x=0 при y=0; y=0 при x=0 и x=-4
3) y<=0 при x принадлежащем [-4;0], y>0 при x принадлежащем (-бесконечность;-4) и (0;+ бесконечность)
4) Функция убывает на промежутке x принадлежащем (-бесконечность;-2) и возрастает на промежутке x принадлежащем (-2;+ бесконечность)
5) E(y)=[-4;+бесконечность).
Пошаговое объяснение: