Дано : V = 0.08 м³ Из таблицы плотности в учебнике : ρ воды = 1000 кг/м³ ρ чугуна = 7000 кг/м³ Ускорение свободного падения : g ≈ 9,8 Н/кг Найти : F - ? Решение. Вес чугунной балки в воздухе : Р = Fт = mg m = ρ чугуна * V Р = ρ чугуна * V *g Архимедова сила: Fa =ρ воды * V * g Cила , которая удерживает балку в воде: F = Р - Fa Объединим формулы: F = ρ чугуна * V * g - ρ воды * V * g Упростим, вынесем общий множитель (Vg): F = V * g * (ρ чугуна - ρ воды) Подставим значения: F = 0,08 * 9,8 * (7000 - 1000 ) = 0,784*6000=4704 Н
1. Металлы пропускают электрический ток в обоих направлениях, полупроводники- только в одном, диэлектрики не пропускают вообще. 2.Носители заряда в полупроводниках В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника. Те носители, концентрация которых выше, называют основными носителями заряда, а носители другого типа — неосновными. 3. Легирование - внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости. 4. Донорные и акцепторные, которые создают носители-электроны и носителидырки.
V = 0.08 м³
Из таблицы плотности в учебнике :
ρ воды = 1000 кг/м³
ρ чугуна = 7000 кг/м³
Ускорение свободного падения :
g ≈ 9,8 Н/кг
Найти : F - ?
Решение.
Вес чугунной балки в воздухе :
Р = Fт = mg
m = ρ чугуна * V
Р = ρ чугуна * V *g
Архимедова сила:
Fa =ρ воды * V * g
Cила , которая удерживает балку в воде:
F = Р - Fa
Объединим формулы:
F = ρ чугуна * V * g - ρ воды * V * g
Упростим, вынесем общий множитель (Vg):
F = V * g * (ρ чугуна - ρ воды)
Подставим значения:
F = 0,08 * 9,8 * (7000 - 1000 ) = 0,784*6000=4704 Н
ответ: F= 4704 Н.
2.Носители заряда в полупроводниках В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника. Те носители, концентрация которых выше, называют основными носителями заряда, а носители другого типа — неосновными.
3. Легирование - внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
4. Донорные и акцепторные, которые создают носители-электроны и носителидырки.