Пусть дан источник с ЭДС \displaystyle \varepsilon , напряжение во внешней цепи \displaystyle U. Внутреннее сопротивление источника — \displaystyle r, а сопротивление внешней цепи — \displaystyle R. В данной системе течёт электрический ток \displaystyle I. Тогда:
для участка цепи (исходя из закона Ома для участка цепи):
\displaystyle I=\frac{U}{R} (1)
для полной цепи (исходя из закона Ома для полной цепи):
\displaystyle I=\frac{\varepsilon }{R+r} (2)
Логично предположить, что количество электронов, сгенерированных источником, равно количеству электронов, ушедших в цепь, тогда приравниваем (1) и (2)
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Пусть дан источник с ЭДС \displaystyle \varepsilon , напряжение во внешней цепи \displaystyle U. Внутреннее сопротивление источника — \displaystyle r, а сопротивление внешней цепи — \displaystyle R. В данной системе течёт электрический ток \displaystyle I. Тогда:
для участка цепи (исходя из закона Ома для участка цепи):
\displaystyle I=\frac{U}{R} (1)
для полной цепи (исходя из закона Ома для полной цепи):
\displaystyle I=\frac{\varepsilon }{R+r} (2)
Логично предположить, что количество электронов, сгенерированных источником, равно количеству электронов, ушедших в цепь, тогда приравниваем (1) и (2)
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и