Для транзистора ГТ403,включеного за схемою із спільним емітером,струм колектора змінюється на 150 мА,а струм емітера на 160 мА.Визначити коєфіцієнт підсилення струму емітера.

Для определения толщины слоя d никеля определим сначала нанесённую его массу m по закону электролиза Фарадея:
Здесь:I = 0,89 А – сила тока через электрод (т.е. через пластинку, которую покрывают никелем – никелируют);t = 4760 с – время никелирования;F = 96485,33 Кл/моль – постоянная Фарадея;μ = 0,059 кг/моль – молярная масса никеля;z = 2 – валентность никеля.
Все величины подставляю в СИ, значит и ответ получится в СИ – килограммы:
То есть на изделии осядет примерно 1,3 грамма никеля.
Такая масса никеля (плотность ρ = 8800 кг/м³) занимает объём:V = m / ρ = (1,3*10^(-3) кг) / (8800 кг/м³) = 1,47*10^(-7) м³
Зная площадь пластинки S, найдём толщину слоя как:d = V / Sd = (1,47*10^(-7) м³) / (96 см²)d = (1,47*10^(-7) м³) / (0,0096 м²)d ≈ 1,53*10^(-5) мd = 15,3 мкм.
ответ: 15,3 мкм

Q1=1,67 нКлq2= 3,33 нКлq3 = -0,67 нКлr= 20 см = 0.2 мх - расстояние между 1-3 зарядами0.2-х -расстояние между 2-3 зарядамиk=9*10^9 Н*м2/Кл2 -постоянная Кулона
сила отталкивания положительных зарядов F = (k*q1*q2)/r^2 сила притяжения зарядов 1-3F13 = (k*q1*q3)/х^2 сила притяжения зарядов 2-3F23 = (k*q2*q3)/(0.2-х)^2условие равновесияF = F13 + F23(k*q1*q2)/r^2 =(k*q1*q3)/х^2 +(k*q2*q3)/(0.2-х)^2q1*q2/r^2 =q1*q3/х^2 +q2*q3/(0.2-х)^2=|q3|*(q1/х^2 +q2/(0.2-х)^2)1.67*3.33/0.2^2 =|-0.67|(1.67/x^2+3.33/(0.2-х)^2)x=-0.0990 м = 10 смх=0.33 м      = 33 смрасстояние от q1 до q3или влево 10 см        схема расположения зарядов  q3---q1q2или вправо 33 см   схема расположения зарядов         q1q2q3
Если честно, то это 10-11 класс.